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Ga2O3基板

半導体革新の最前線にある革新的な材料である当社の Ga2O3 基板を使用して、最先端の半導体アプリケーションの可能性を解き放ちます。第 4 世代のワイドバンドギャップ半導体である Ga2O3 は、パワーデバイスの性能と信頼性を再定義する比類のない特性を示します。

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リングセット

Semicorex リングセットは、SiC コーティングされたグラファイトから作られた重要なコンポーネントであり、半導体エピタキシャルプロセスの可能性を最大限に引き出します。エピタキシャル成長の効率と信頼性を高めるように設計されたこの小型ながら強力なアクセサリは、半導体製造環境内で最適なパフォーマンスを確保する上で重要な役割を果たします。

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エピプレヒートリング

Semicorex の最先端のエピプレヒートリングを使用すると、半導体エピタキシャルプロセスの効率と精度が向上します。 SiC コーティングされたグラファイトから精密に作られたこの先進的なリングは、プロセスガスがチャンバーに入る前に予熱することにより、エピタキシャル成長を最適化する上で極めて重要な役割を果たします。

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SiC部品カバーセグメント

Semicorex SiC Parts Abdeck Segmenten は、精度と耐久性を再定義する半導体デバイス製造における重要なコンポーネントです。 SiC コーティングされたグラファイトから作られたこれらの小さいながらも重要な部品は、半導体プロセスを新たなレベルの効率と信頼性に進化させる上で極めて重要な役割を果たします。

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惑星円盤

Semicorex Planetary Disk は、有機金属化学気相成長 (MOCVD) 炉内の分子線エピタキシー (MBE) プロセス用に設計された炭化ケイ素でコーティングされたグラファイトウェーハサセプタまたはキャリアです。 Semicorex は高品質の製品を競争力のある価格で提供することに尽力しており、中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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TaCコートガイドリング

SiC（炭化ケイ素）単結晶育成炉の革新の最高峰、セミコレックスTaCコートガイドリング。半導体業界の厳しい要求を満たすよう細心の注意を払って設計されたこのガイドリングは、比類のない精度と信頼性で結晶成長プロセスを再定義することを約束します。

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