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さまざまな種類のSiCセラミックス

炭化ケイ素 (SiC) セラミックは、その優れた特性と幅広い用途で知られる先進的なセラミック材料の一種です。ケイ素（Si）と炭素（C）原子が結晶格子構造をとって構成されており、硬くて強度があり、熱伝導性、電気伝導性に優れています。

P型SiCウェハとは何ですか?

P 型炭化ケイ素 (SiC) ウェハは、P 型 (正) 導電性を作り出すために不純物がドープされた半導体基板です。炭化ケイ素は、優れた電気的および熱的特性を備えたワイドバンドギャップ半導体材料であり、高出力および高温の電子デバイスに適しています。

SiC コーティングされたグラファイトサセプターを選択する理由は何ですか?

グラファイトサセプタはMOCVD装置の重要な部品の1つであり、ウェハ基板のキャリアおよびヒーターです。その熱安定性と熱均一性の特性は、層材料の均一性と純度を直接決定するウェーハエピタキシャル成長の品質に決定的な役割を果たし、その結果、その品質はエピタキシャルの準備に直接影響します。