SiCコーティンググラファイトサセプタとは何ですか?

を紹介するために、SiCコーティングされたグラファイトレシーバー、その応用を理解することが重要です。デバイスを製造する場合、一部のウェーハ基板上にさらにエピタキシャル層を構築する必要があります。たとえば、LED 発光デバイスでは、シリコン基板上に GaAs エピタキシャル層を準備する必要があります。 SiC 基板上での SiC 層の成長は必要ですが、エピタキシャル層は、SBD、MOSFET などの高電圧および大電流などの電力アプリケーション用のデバイスの構築に役立ちます。逆に、GaN エピタキシャル層は半絶縁性 SiC 上に構築されます。基板を使用して、通信などの無線周波数アプリケーション用の HEMT などのデバイスをさらに構築します。これを行うには、CVD装置(他の技術的手法の中でも特に) が必要です。この装置は、III族、II族元素、V族、VI族元素を成長原料として基板表面に堆積させることができます。

でCVD装置、基板を金属上に直接配置したり、単にエピタキシャル堆積用のベース上に配置したりすることはできません。これは、ガスの流れの方向 (水平、垂直)、温度、圧力、汚染物質の固定、脱落などがすべてプロセスに影響を与える可能性があるためです。したがって、基板をディスク上に配置する場所にサセプタが必要であり、その後、CVD技術を使用して基板上にエピタキシャル堆積を実行します。このサセプタは、SiC コーティングされたグラファイト サセプタ (トレイとも呼ばれます) です。

のグラファイトレシーバーの重要な要素ですMOCVD装置。これは、基板のキャリアおよび加熱要素として機能します。熱安定性、均一性、その他の性能パラメータは、エピタキシャル材料の成長の品質を決定する重要な要素であり、薄膜材料の均一性と純度に直接影響します。したがって、その品質は、グラファイトレシーバーエピタキシャルウェーハの準備には不可欠です。ただし、サセプタは消耗品であるため、作業条件の変化により、簡単に紛失してしまいます。

グラファイトは熱伝導性と安定性に優れているため、MOCVD装置。ただし、純粋なグラファイトにはいくつかの課題があります。製造中に残留する腐食性ガスや金属有機物により、サセプタが腐食して粉が飛散し、その耐用年数が大幅に短くなる可能性があります。さらに、落下するグラファイト粉末はチップを汚染する可能性があります。したがって、これらの問題は、ベースの準備プロセス中に解決する必要があります。

コーティング技術は、粉末を表面に固定し、熱伝導率を高め、熱を均一に分散させるために使用できるプロセスです。このテクノロジーは、この問題を解決する主な方法となっています。適用環境とグラファイトベースの使用要件に応じて、表面コーティングは次の特性を持つ必要があります。

1. 高密度および完全なラッピング: グラファイトベースは高温で腐食性の作業環境にあるため、表面を完全にカバーする必要があります。良好な保護を実現するには、コーティングの密度も良好でなければなりません。

2. 良好な表面平坦性：単結晶成長に使用されるグラファイト基材は高い表面平坦性が要求されるため、コーティングを作成した後も基材本来の平坦性を維持する必要があります。これは、コーティング表面が均一でなければならないことを意味します。

3. 優れた接着強度：グラファイトベースとコーティング材料の熱膨張係数の差を小さくすることで、両者の接着強度を効果的に向上させることができます。高温と低温の熱サイクルを経ても、コーティングは割れにくいです。

4. 高い熱伝導性: 高品質のチップ成長には、グラファイトベースからの高速かつ均一な熱が必要です。したがって、コーティング材料は高い熱伝導率を有する必要があります。

5. 高融点、高温耐酸化性、および耐食性: コーティングは、高温および腐食性の作業環境でも安定して機能する必要があります。

現在のところ、炭化ケイ素(SiC)は、高温および腐食性ガスの環境下で優れた性能を発揮するため、グラファイトのコーティングに最適な材料です。さらに、グラファイトと熱膨張係数が近いため、強力な結合を形成できます。さらに、炭化タンタル(TaC)コーティングより高温(>2000℃)の環境にも耐えることができます。

セミコレックスは高品質を提供しますSiCそしてTaC コーティングされたグラファイトサセプター。ご質問がある場合、または詳細が必要な場合は、お気軽にお問い合わせください。

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