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SICクリスタルの成長におけるTACコーティングされたるつぼ

TACコーティングされたるつぼは、炭化シリコン（SIC）結晶の成長プロセスにおける反応容器として重要な技術的ソリューションになりました。

炭化シリコンセラミック膜には、高化学物質の安定性、良好な熱衝撃耐性、強い疎水性、大きな膜フラックス、高機械強度、濃縮細孔サイズ分布、良好な細孔構造勾配の特徴があります。

固有のシリコンとは、不純物がない純粋なシリコンを指します。

炭化シリコンセラミック膜は、水処理と産業分離の分野で大きな利点があり、その用途シナリオは幅広いものです。

トランジスタのサイズを縮小し、太陽電池の効率を縮小する競争は、熱加工装置をその限界に押し上げています。

現在、炭化シリコンは第3世代の半導体を支配しています。炭化シリコンデバイスのコスト構造では、基質は47％を占め、エピタキシーは23％に寄与します。合わせて、これらの2つのコンポーネントは全体的な製造コストの約70％を占めており、シリコン炭化物デバイスの生産チェーンで重要です。

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