ドライエッチングは、マイクロ電気機械システムの製造プロセスにおける主要な技術です。ドライエッチングプロセスの性能は、半導体デバイスの構造精度や動作性能に直接影響します。エッチングプロセスを正確に制御するには、以下のコア評価パラメータに細心の注意を払う必要があります。
ドライ エッチングは通常、物理的作用と化学的作用を組み合わせたプロセスであり、イオン衝撃は重要な物理的エッチング技術です。エッチング中、イオンの入射角やエネルギー分布が不均一になる場合があります。
炭化ケイ素気力静力スライドウェイは、炭化ケイ素の材料特性と気力静力技術を組み合わせた高度なガイドウェイ システムです。炭化ケイ素静圧滑り面は、高精度、高信頼性、長期にわたるモーションシステムの最適なソリューションとして、最先端の製造分野や科学研究機器などの分野で広く使用されています。
炭化珪素単結晶の製造方法としては、物理的気相輸送法(PVT)が主流である。この方法は主に、石英管キャビティ、加熱要素 (誘導コイルまたはグラファイト ヒーター)、グラファイト カーボン フェルト断熱材、グラファイトるつぼ、炭化ケイ素種結晶、炭化ケイ素粉末、および高温温度計で構成されます。
SOI は、Silicon-On-Insulator の略で、特殊な基板材料に基づいた半導体製造プロセスです。 1980 年代の工業化以来、この技術は高度な半導体製造プロセスの重要な分野となっています。ユニークな 3 層複合構造を特徴とする SOI プロセスは、従来のバルク シリコン プロセスとは大きく異なります。
静電チャックは、半導体製造分野において静電気の均一放電、熱伝導、ウエハの吸着固定などの多機能を担っています。 ESC の中核機能の 1 つは、高真空、強力なプラズマ、広い温度範囲などの極端な動作条件下でウェーハを安定して吸着することです。真の性能を決めるのは、外部構造や母材配合ではなく、表面処理プロセスです。