ドライエッチングの中心となるパラメータ

ドライエッチングは、マイクロ電気機械システムの製造プロセスにおける主要な技術です。ドライエッチングプロセスの性能は、半導体デバイスの構造精度や動作性能に直接影響します。エッチングプロセスを正確に制御するには、以下のコア評価パラメータに細心の注意を払う必要があります。

3.均一性

ドライエッチング選択性には、基板選択性とマスク選択性の 2 種類があります。理想的には、マスク選択比が高く、基板選択比が低いエッチングガスを選択する必要がありますが、実際には材料特性を考慮して最適化する必要があります。

2.選択性

ドライエッチング選択性には、基板選択性とマスク選択性の 2 種類があります。理想的には、マスク選択比が高く、基板選択比が低いエッチングガスを選択する必要がありますが、実際には材料特性を考慮して最適化する必要があります。

3.均一性

ウェーハ内均一性とは、同じウェーハ内の異なる場所でのレートの一貫性であり、半導体デバイスの寸法偏差につながります。ウエハ間の均一性は、異なるウエハ間のレートの一貫性を指しますが、これによりバッチ間の精度が変動する可能性があります。

4.臨界寸法

クリティカルディメンションとは、線幅、トレンチ幅、穴直径などの微細構造の幾何学的パラメータを指します。

5.アスペクト比

アスペクト比は、その名前が示すように、開口部の幅に対するエッチングの深さの比です。アスペクト比構造は MEMS の 3D デバイスの中核要件であり、ボトムレートの低下を避けるためにガス比と電力制御を通じて最適化する必要があります。

2.選択性

オーバーエッチング、アンダーカット、サイドエッチングなどのエッチング損傷により、寸法精度が低下する可能性があります（電極間隔の偏差、カンチレバーの幅の狭まりなど）。

7.ローディングエフェクト

ローディング効果とは、エッチングレートがエッチングパターンの面積や線幅などの変数に応じて非線形に変化する現象を指します。言い換えれば、エッチングされた領域または線幅が異なると、速度または形態の違いが生じます。

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