真空チャックは接続チューブを介して真空装置に接続されています。真空チャックがウエハや薄膜材料などのワークに接触すると真空装置が作動し、真空チャック内に負圧が発生します。大気圧下ではワークを真空チャックにしっかりと吸着させて加工が可能です。処理が完了すると、真空装置の作動が停止し、真空チャック内にガスがゆっくりと充填され、ワークがチャックから自動的に分離されます。これでワークのクランプ、加工、ハンドリングが完了します。
半導体石英炉管は、拡散、酸化、アニーリングなどの主要な半導体製造プロセスで広く使用される必須コンポーネントです。高温、高圧力、厳しい腐食の使用環境に長期間さらされる場合でも、物理的・化学的特性を安定に維持する必要があります。半導体製造プロセスにおいて、石英炉心管の品質は半導体デバイスの性能や歩留まりに直接影響します。このため、石英炉管の製造工程は重要となります。ここでは石英炉管の製造工程を簡単に紹介します。
炭化ケイ素セラミック膜は、最上位の濾過および浄化技術として際立っており、複雑な廃水処理の課題に対処するための好ましい材料と考えられています。炭化ケイ素セラミック膜は卓越した性能を発揮し、高温、強い腐食、重度の汚染を伴う過酷な環境での濾過および精製作業に比類のないソリューションを提供します。
ドライガスシール方式は、作動媒体としてガスを使用した非接触軸封方式です。ドライガスシールシステムは、シール面に動圧溝を加工することにより、回転中に生じる流体力学的効果を利用してシール面の間に安定したガス膜を形成します。この安定した気体膜によりシール面が非接触状態に保たれ、気体や液体を効果的にシールすることができます。
SOI(Silicon-On-Insulator)基板は、上部シリコン層とシリコン基板の間に酸化シリコン(SiO2)絶縁層が導入され、上部シリコン薄層上に集積回路が作製される構造です。 SOI材料を使用して集積回路を製造するこの技術は、SOI技術と呼ばれます。