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業界ニュース

n型4H-SiC結晶の電気抵抗率分布に関する研究

n型4H-SiC結晶の電気抵抗率分布に関する研究

4H-SiC は、第 3 世代の半導体材料として、広いバンドギャップ、高い熱伝導率、優れた化学的および熱的安定性で知られており、高出力および高周波の用途で非常に価値があります。

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結晶成長炉システムとは

結晶成長炉システムとは

単結晶育成炉は 6 つの主要なシステムで構成されており、それらが調和して動作することで、効率的かつ高品質な結晶成長を実現します。

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Infineon Unveils World’s First 300mm Power GaN Wafer

Infineon Unveils World’s First 300mm Power GaN Wafer

最近、インフィニオン テクノロジーズは、世界初の 300mm パワー窒化ガリウム (GaN) ウェーハ技術の開発に成功したと発表しました。

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単結晶シリコンの製造

単結晶シリコンの製造

単結晶シリコンの製造に使用される 3 つの主な方法は、チョクラルスキー (CZ) 法、カイロプロス法、およびフロート ゾーン (FZ) 法です。

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半導体プロセスにおける酸化

半導体プロセスにおける酸化

酸化プロセスは、異なる化学物質間のバリアとして機能する酸化層として知られる保護層をウェーハ上に作成することにより、このような問題を防ぐ上で重要な役割を果たします。

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窒化ケイ素とは

窒化ケイ素とは

窒化ケイ素 (Si3N4) は、高度な高温構造用セラミックスの開発における重要な材料です。

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