LPE ハーフムーン反応チャンバー

エピタキシャル プロセスは、LPE ハーフムーン反応チャンバー内で行われ、基板は高温と腐食性ガスを伴う極端な条件にさらされます。反応チャンバーコンポーネントの寿命と性能を保証するために、化学蒸着 (CVD) SiC コーティングが適用されます。

詳細なアプリケーション:

サセプタとウェーハキャリア:

主な役割:

サセプタとウェーハキャリアは、LPE ハーフムーン反応チャンバーでのエピタキシャル成長プロセス中に基板をしっかりと保持する重要なコンポーネントです。これらは、基板が確実に均一に加熱され、反応性ガスにさらされるようにする上で極めて重要な役割を果たします。

CVD SiC コーティングの利点:

熱伝導率:

SiC コーティングはサセプターの熱伝導率を高め、熱がウェーハ表面全体に均一に分散されるようにします。この均一性は、一貫したエピタキシャル成長を達成するために不可欠です。

耐食性:

SiC コーティングは、CVD プロセスで使用される水素や塩素化合物などの腐食性ガスからサセプタを保護します。この保護により、サセプタの寿命が延び、LPE ハーフムーン反応チャンバー内のエピタキシャル プロセスの完全性が維持されます。

反応チャンバーの壁:

主な役割:

反応チャンバーの壁には反応環境があり、LPE ハーフムーン反応チャンバーでのエピタキシャル成長プロセス中に高温と腐食性ガスにさらされます。

CVD SiC コーティングの利点:

耐久性:

LPE ハーフムーン反応チャンバーの SiC コーティングは、チャンバー壁の耐久性を大幅に向上させ、腐食や物理的磨耗から保護します。この耐久性により、メンテナンスや交換の頻度が減り、運用コストが削減されます。

汚染防止:

SiC コーティングはチャンバー壁の完全性を維持することで、材料の劣化による汚染のリスクを最小限に抑え、クリーンな処理環境を確保します。

主な利点:

収量の向上:

LPE ハーフムーン反応チャンバーは、ウェーハの構造的完全性を維持することにより、より高い歩留まりをサポートし、半導体製造プロセスをより効率的かつコスト効率の高いものにします。

構造の堅牢性:

LPE ハーフムーン反応チャンバーの SiC コーティングはグラファイト基板の機械的強度を大幅に強化し、ウェーハキャリアをより堅牢にし、繰り返しの熱サイクルによる機械的ストレスに耐えられるようにします。

長寿：

機械的強度の向上により、LPE ハーフムーン反応チャンバーの全体的な寿命が延び、頻繁な交換の必要性が減り、運用コストがさらに削減されます。

表面品質の向上:

SiC コーティングにより、裸のグラファイトと比較してより滑らかな表面が得られます。この滑らかな仕上げにより、粒子の発生が最小限に抑えられます。これは、クリーンな処理環境を維持するために重要です。

汚染の軽減:

表面が滑らかになるとウェーハ上の汚染のリスクが軽減され、半導体層の純度が確保され、最終デバイスの全体的な品質が向上します。

クリーンな処理環境:

Semicorex LPE ハーフムーン反応チャンバーは、コーティングされていないグラファイトよりも発生する粒子が大幅に少なく、これは半導体製造において汚染のない環境を維持するために不可欠です。

より高い歩留まり率:

微粒子汚染が減少すると、欠陥が減り、歩留まりが向上します。これは、競争の激しい半導体業界では重要な要素です。