CVD TaC コーティングサセプタ

Semicorex CVD TaC コーティングサセプタは、緻密な TaC コーティングを施した高性能グラファイトサセプタで、要求の厳しい SiC エピタキシャル成長プロセスに優れた熱均一性と耐食性を提供するように設計されています。 Semicorex は、高度な CVD コーティング技術と厳格な品質管理を組み合わせて、世界的な SiC エピメーカーから信頼される長期耐久性の低汚染サセプタを提供します。

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製品説明

Semicorex CVD TaC コーティングされたサセプタは、SiC エピタキシー (SiC Epi) 用途向けに特別に設計されています。これらの厳しいプロセス要件に対して、優れた耐久性、熱均一性、長期信頼性を提供します。 SiC エピタキシープロセスの安定性と汚染制御は、ウェーハの歩留まりとデバイスの性能に直接影響を与えるため、感受性はその点で重要な要素となります。サセプタは、エピタキシーリアクタ内でウェーハを支持および加熱する主要な手段であるため、極端な温度、腐食性前駆体ガス、および繰り返しの熱サイクルに歪みやコーティングの破損なく耐える必要があります。

極限環境向けの高純度 TaC コーティング

炭化タンタル (TaC)は、化学的腐食や熱劣化に対する優れた耐性を備えた確立された超高温セラミック材料です。 Semicorex は、均一かつ緻密な CVD TaC コーティングを高強度グラファイト基材に適用し、粒子の発生を最小限に抑え、グラファイトが反応性プロセスガス (水素、シラン、プロパン、塩素化化学物質など) に直接さらされるのを防ぐ保護バリアを提供します。

CVD TaC コーティングは、SiC エピタキシャル堆積中の極端な条件 (摂氏 1600 度以上) の下で、従来のコーティングよりも優れた安定性を提供します。さらに、コーティングの優れた密着性と均一な厚さにより、長期間の生産稼働を通じて一貫したパフォーマンスが促進され、部品の初期故障によるダウンタイムが削減されます。

熱均一性とウェーハ品質を最適化した設計

ウエハ表面上の均一な温度分布により、一貫したエピタキシー厚さとドーピングレベルを実現できます。これを達成するために、セミコレックス TaC コーティングされた磁化率は、厳密な公差に合わせて精密機械加工されています。これにより、急速な温度サイクルでも優れた平坦性と寸法安定性が得られます。

サセプタの幾何学的構成は、ガス流路、ポケット設計、表面特徴などを含めて最適化されています。これにより、エピタキシー中のサセプタ上でのウェハの安定した位置決めが促進され、加熱の均一性が向上するため、エピタキシーの厚さの均一性と一貫性が向上し、パワー半導体製造用に製造されるデバイスの歩留まりが向上します。

汚染の低減と耐用年数の延長

粒子やガスの放出による汚染によって引き起こされる表面欠陥は、SiC エピタキシーを使用して製造されたデバイスの信頼性に悪影響を与える可能性があります。密集したCVD TaC層グラファイトコアからの炭素の拡散に対するクラス最高のバリアとして機能し、時間の経過による表面損傷を最小限に抑えます。さらに、化学的に安定した滑らかな表面により、望ましくない堆積物の蓄積が制限され、適切な洗浄プロセスとより安定した反応器条件の維持が容易になります。

TaC コーティングは、その極めて高い硬度と耐摩耗性により、従来のコーティングソリューションと比較してサセプターの寿命を大幅に延ばすことができ、それにより、大量のエピタキシャル材料の生産に関連する総所有コストを削減できます。

品質管理と製造の専門知識

セミコレックスは、半導体プロセスコンポーネント向けの高度なセラミックコーティング技術と精密機械加工に重点を置いています。 CVD TaC コーティングされた各サセプターは、コーティングの完全性、厚さの一貫性、表面仕上げ、寸法精度を対象とした検査を伴う厳格なプロセス管理の下で製造されます。当社のエンジニアリングチームは、設計の最適化、コーティングの性能評価、特定のリアクタープラットフォームのカスタマイズでお客様をサポートします。