SICエピタキシャルモジュール

プレミアムグレードのSICコーティンググラファイトから作られたセミコレックスSICエピタキシャルモジュールは、炭化シリコン（SIC）エピタキシープロセスの最も困難な要素に耐えるために開発されたエピタキシャル装置の一部です。このモジュールは、化学蒸気堆積（CVD）アプリケーションの高温向けであり、高品質のSICのエピタキシャル成長中のウェーハの安定性とサポートを実証する上で重要なコンポーネントです。 Semicorex SICモジュールは、高品質のSIC仕様と一致するエピタキシャル材料の信頼性が高く再現可能な生産のための効果的なベース材料です。

Semicorex SICモジュールは、炭化シリコンのシリコン層の密な均一な層で覆われたグラファイト基質であり、最も重度のプロセス化学であっても、粒子の汚染と腐食に耐性があります。 SICコーティングは、基礎となるグラファイトの汚染と侵食を禁止し、最大1600°Cまでの実質的な機械的サポートと保護を提供します。 SICモジュールは、グラファイトの強度と機密性を、炭化シリコンの全体的な摩耗、腐食、および化学耐性特性と組み合わせて、厳しいエピタキシャル大気の耐久性に関して最適なモジュールに適しています。

このモジュールは、熱サイクリングプロセス全体で寸法変化を最小限に抑えながら、均一な熱プロファイルを提供するように設計されています。この熱の均一性と安定性は、ウェーハの平坦性とエピタキシーの均一性を維持するために不可欠です。ウェーハが熱伝導率が高い安定した位置を維持している場合、処理中のウェーハ全体の熱条件は均一になり、収量、結晶の質、および部品の故障または汚染に関連するダウンタイムにプラスの影響を与えます。

SICエピタキシャルモジュールは、ホットウォールやコールドウォールを含むいくつかのエピタキシャルリアクターと互換性があり、特定の原子炉レイアウトと顧客のニーズに対応するための形状と寸法にカスタマイズするオプションがあります。 SICエピタキシャルモジュールは、4インチ、6インチ、および新たな8インチSICエピタキシーアプリケーションに適していますが、これらに限定されません。 SICエピタキシャルモジュールの高い純度と最適化されたジオメトリのため、エピタキシャル層のより制御された成長をサポートするガスフローダイナミクスと熱勾配への影響が物理的干渉が最小化されます。

SemicorexのSICエピタキシャルモジュールは、エキセントリックなアセンブリで最高品質の制御された部分を表しています。高品質の制御プロトコルに加えて、Semicorexは最新のコーティング方法を利用して、均一で密集した、低ガスのSICフィルムを適用します。 Semicorexには、高性能セラミックコーティングとグラファイト加工の長い歴史があり、プロセスの利点を特定し、可能な限り最高の製品寿命、一貫性、プロセスの安定性をバッチからバッチまで提供します。

材料品質がデバイスのパフォーマンスに直接影響するSICパワーデバイスの急速に進化する分野では、エピタキシャルモジュールは単なる消耗品ではなく、重要なイネーブラーです。 SemicorexのSICコーティンググラファイトエピタキシャルモジュールは、SICエピタキシーの効率、収量、費用対効果の限界を押しようとする顧客に堅牢で信頼できるソリューションを提供します。