SiCエピウェーハサセプタ

エピタキシャル成長を通じて理想的な材料特性を確立しない限り、電気自動車 (EV) と 5G の革命に不可欠なワイド バンドギャップ (WBG) 半導体を製造することはできません。 Semicorex の SiC エピウェーハ サセプタは、SiC および GaN エピタキシーの基盤 (熱的/構造的) として使用するように設計されています。の組み合わせ静水圧グラファイト化学蒸着 (CVD) 炭化ケイ素 (優れた熱伝導率) と炭化ケイ素 (優れた耐薬品性) により、可能な限り最大の歩留まりと再現性を可能にするプロセス キットが実現します。

「完璧な」温熱環境をエンジニアリングする

反応性で腐食性の前駆体ガスが飽和した雰囲気中で適切なエピタキシャル成長温度（1,500℃以上）を達成するには、従来のグラファイトキャリアは暴露により劣化し、したがってウェーハが汚染されてしまいます。しかし、Semicorex が開発した SiC エピウェーハ サセプタは、高度な材料統合によりソリューションを実現し、数千時間のプロセス時間にわたって安定したベースをエピタキシー プロセスに提供します。

1. 優れた均熱性

サセプタの主な役割は、ヒート スプレッダとして機能することです。当社の高純度等方性グラファイトコアは、ウェーハ表面全体に均一な熱場を提供します。これにより、エピ層の厚さとドーピング濃度の変動を引き起こす「ホットスポット」が最小限に抑えられます。 RDS(on) の一貫性が重要なパワー エレクトロニクスの世界では、当社のサセプタはサブミクロンの均一性に必要な熱精度を実現します。

2. 気密CVD SiCカプセル化

当社では最先端の CVD プロセスを利用して、緻密で超高純度の炭化ケイ素コーティングを塗布しています。この層は単なる被覆ではありません。それはハーメチックシールです。

粒子抑制: コーティングは、グラファイト基板が反応チャンバー内にホウ素や金属微量などの不純物を「粉塵」またはガス放出するのを防ぎます。

化学的不活性性: 当社のSiCコーティングMOCVD や SiC エピタキシー リアクターで一般的な H2、HCl、アンモニア (NH3) エッチングに対して耐性があります。

3. 正確な CTE マッチング

コーティングされたハードウェアで最も一般的な故障点の 1 つは、熱サイクルによる層間剥離です。当社では、熱膨張係数 (CTE) が完全に一致するグラファイト グレードを特に選択しています。SiCコーティング。この「膨張調和」により、SiC エピウェーハ サセプタは、亀裂や剥離を生じることなく、急速なランプアップおよびランプダウン サイクルに耐えることができ、業界標準の代替品と比較してコンポーネントの耐用年数が最大 300% 延長されます。

グローバルな原子炉プラットフォーム向けに最適化

当社のエンジニアリング チームは、水平および垂直リアクター構成の両方に対応するサセプターの設計に豊富な経験を持っています。当社は、業界をリードする OEM システム (AIXTRON、Veeco、東京エレクトロン プラットフォームを含む) に対してドロップイン交換品とカスタム設計のソリューションを提供します。

遊星型リアクターを実行している場合でも、枚葉式ツールを実行している場合でも、当社のサセプターは以下に対して最適化されています。

ガス流力学:精密に機械加工されたポケットにより、ウェーハ全体の層流が確保されます。

ウェーハの回転:重量対摩擦比の最適化により、成長時の安定した高速回転を実現します。

自動処理:ロボットによるウェーハ搬送の機械的ストレスに耐えられるようにエッジが強化されています。