SiC コーティングされたサポート リング

Semicorex SiC コーティングされたサポート リングは、半導体ウェーハ上に堆積されるエピタキシャル層の精度と品質を保証する上で重要な役割を果たします。

SiC コーティングされたサポート リングは、エピタキシャル成長炉で一般的な極端な温度や腐食環境に耐える堅牢な保護層を提供します。 SiC の優れた熱特性により、ウェーハ表面全体に均一な温度分布が確保され、熱勾配と応力が最小限に抑えられます。この安定性は、欠陥を最小限に抑えた高品質のエピタキシャル層を実現するために非常に重要です。

SiC コーティングされたサポート リングは、エピタキシャル プロセスで使用される反応性ガスによる化学的攻撃に耐え、サポート リングの動作寿命を延ばし、プロセスの完全性を維持します。この耐性により汚染のリスクが軽減され、半導体デバイスの純度の向上と性能の向上に貢献します。

SiC コーティングされたサポート リングは、均一な層の堆積に重要な正確なウェーハの位置を維持します。 SiC コーティングされたサポート リングの高温条件下での構造的完全性により、複数の処理サイクルにわたって一貫したパフォーマンスが保証されます。

Semicorex SiC コーティング サポート リングは、半導体技術の進歩において極めて重要なコンポーネントであり、最適なパフォーマンスと信頼性を備えた高品質デバイスの製造を保証します。