SiC コーティングされたエピタキシー ディスク

Semicorex SiC コーティング エピタキシー ディスクには、半導体業界において比類のないさまざまな利点があり、これについては次のように詳しく説明します。

低い熱膨張係数: SiC コーティングされたエピタキシー ディスクは、寸法安定性が不可欠な半導体プロセスにおいて極めて重要な低い熱膨張係数を誇ります。この特性により、SiC コーティングされたエピタキシー ディスクは温度変化下での膨張や収縮が最小限に抑えられ、高温プロセス中に半導体構造の完全性が維持されます。

高温酸化耐性: 優れた耐酸化性を備えて設計されたこの SiC コーティング エピタキシー ディスクは、高温でも構造の完全性を維持するため、熱安定性が重要な高温半導体プロセスでのアプリケーションに最適なコンポーネントとなっています。

高密度で微細な多孔性の表面: SiC コーティングされたエピタキシー ディスクの表面は、その密度と微細な多孔性が特徴で、さまざまなコーティングを付着させるのに最適な表面テクスチャーを提供し、繊細な表面を損傷することなく、半導体ウェーハ処理中に効果的な材料除去を保証します。

高硬度: コーティングによりグラファイト ディスクに高レベルの硬度が与えられ、傷や摩耗に強いため、SiC コーティング エピタキシー ディスクの耐用年数が延長され、半導体製造環境における交換頻度が減少します。

酸、塩基、塩、有機試薬に対する耐性: SiC コーティングされたエピタキシー ディスクの CVD SiC コーティングは、酸、塩基、塩、有機試薬などの幅広い腐食剤に対して優れた耐性を備えているため、次のような環境での使用に適しています。化学物質への曝露が懸念されるため、機器の信頼性と寿命が向上します。

ベータ-SiC 表面層: SiC コーティング エピタキシー ディスクの SIC (炭化ケイ素) 表面層は、面心立方 (FCC) 結晶構造を持つベータ-SiC で構成されています。この結晶構造は、コーティングの優れた機械的および熱的特性に貢献し、ディスクに優れた強度と熱伝導性をもたらします。これは、半導体処理装置に不可欠です。