MOCVD 用 Semicorex SiC グラファイト RTP キャリア プレートは、優れた耐熱性と熱均一性を備え、半導体ウェーハ処理用途に最適なソリューションです。高品質の SiC コーティングされたグラファイトを使用したこの製品は、エピタキシャル成長のための最も過酷な堆積環境に耐えるように設計されています。高い熱伝導率と優れた熱分布特性により、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄において信頼性の高いパフォーマンスが保証されます。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex エピタキシャル成長用 SiC コーティング RTP キャリア プレートは、半導体ウェーハ処理アプリケーションに最適なソリューションです。グラファイトやセラミックスなどの表面にMOCVD法で加工した高品質なカーボングラファイトサセプタと石英るつぼを備えており、ウェーハハンドリングやエピタキシャル成長処理に最適です。 SiC コーティングされたキャリアは高い熱伝導率と優れた熱分布特性を保証し、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄に信頼できる選択肢となります。
続きを読むお問い合わせを送信MOCVD エピタキシャル成長用 Semicorex RTP キャリアは、エピタキシャル成長やウェーハハンドリング処理などの半導体ウェーハ処理アプリケーションに最適です。カーボングラファイトサセプタおよび石英るつぼは、グラファイト、セラミックスなどの表面にMOCVDによって加工されます。当社の製品は価格面での優位性があり、ヨーロッパおよびアメリカの多くの市場をカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex の ICP エッチングプロセス用 SiC プレートは、薄膜堆積やウェーハハンドリングにおける高温で過酷な化学処理要件に最適なソリューションです。当社の製品は優れた耐熱性と均一な熱均一性を誇り、一貫したエピ層の厚さと抵抗を保証します。当社の高純度 SiC 結晶コーティングは、きれいで滑らかな表面を備えており、新品のウェーハに最適なハンドリングを提供します。
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