LEDチップの製造において、MOCVDエピタキシーは発光効率を決定する中核プロセスとして機能します。製造中、サファイアまたはシリコン基板を搭載したグラファイトサセプタは、腐食性雰囲気内で 1,000°C 近い温度で繰り返し熱サイクルを受けて動作します。したがって、グラファイトサセプタの性能は、エピタキシー効率、エピタキシーの均一性、完成したデバイスの最終歩留まりに直接影響を与えます。グラファイトサセプタ上に CVD SiC コーティングを堆積することは、業界の主流のソリューションとなっています。この記事では、この設計の背後にある理論的根拠について簡単に説明します。
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