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GaN と SiC の比較

現在研究中の材料がいくつかありますが、その中でも炭化ケイ素は最も有望な材料の 1 つとして際立っています。 GaN と同様に、シリコンに比べて高い動作電圧、高い降伏電圧、優れた導電性を誇ります。さらに、炭化ケイ素は熱伝導率が高いため、極端な温度の環境でも使用できます。最後に、サイズが大幅に小さいにもかかわらず、より大きな電力を処理できます。

世界が半導体の新たな機会を模索する中、窒化ガリウムは将来の電力およびRFアプリケーションの潜在的な候補として引き続き注目を集めています。しかし、これだけの利点があるにもかかわらず、依然として大きな課題に直面しています。 Pタイプ（Pタイプ）の商品はございません。なぜ GaN が次の主要な半導体材料としてもてはやされるのか、なぜ P 型 GaN デバイスの欠如が大きな欠点なのか、そしてこれは将来の設計に何を意味するのでしょうか?

酸化ガリウムウェーハの応用例

酸化ガリウム (Ga2O3) は、特にパワーデバイスや高周波 (RF) デバイスなど、さまざまな用途に有望な材料として浮上しています。この記事では、これらの分野における酸化ガリウムの主要な機会とターゲット市場を探ります。

酸化ガリウム(Ga2O3)のご紹介

「超ワイドバンドギャップ半導体」材料として酸化ガリウム（Ga2O3）が注目を集めています。超ワイドバンドギャップ半導体は「第4世代半導体」に分類され、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）といった第3世代半導体と比べ、酸化ガリウムは4.9eVというバンドギャップ幅を誇ります。炭化ケイ素の3.2eVと窒化ガリウムの3.39eV。バンドギャップが広いということは、電子が価電子帯から伝導帯に遷移するのにより多くのエネルギーを必要とすることを意味し、酸化ガリウムに高電圧耐性、高温耐性、高出力能力、耐放射線性などの特性を与えます。

黒鉛化とは何ですか？

黒鉛化とは、炭素材を電気抵抗熱を利用して2300～3000℃に加熱し、高温熱処理により非黒鉛状の炭を黒鉛の三次元規則配列構造を有する黒鉛状炭に変化させる工程です。アモルファスカオス層構造から規則的なグラファイト結晶構造へ。

半導体シリコン単結晶の熱場コーティング

半導体シリコン単結晶ホットフィールドのコーティング部品は、一般的にCVD法によりコーティングされており、熱分解炭素コーティング、炭化ケイ素コーティング、炭化タンタルコーティングなどがあり、それぞれ特性が異なります。

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窒化ガリウム (GaN) アプリケーションの長所と短所

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