Infineon Unveils World’s First 300mm Power GaN Wafer

最近、インフィニオン テクノロジーズは、世界初の 300mm パワー窒化ガリウム (GaN) ウェーハ技術の開発に成功したと発表しました。これにより、同社はこの画期的なテクノロジーを習得し、既存の大規模かつ高生産能力の製造環境内で大量生産を達成した最初の企業となります。この革新は、GaN ベースのパワー半導体市場における大きな進歩を示します。

300mm テクノロジーと 200mm テクノロジーはどう違うのですか?

200mm テクノロジーと比較して、300mm ウェーハを採用すると、ウェーハあたり 2.3 倍の GaN チップを生産できるようになり、生産効率と生産量が大幅に向上します。この画期的な進歩は、パワーシステム分野におけるインフィニオンのリーダーシップを強化するだけでなく、GaN技術の急速な開発を加速します。

インフィニオンの CEO はこの成果について何と言っていますか?

インフィニオン テクノロジーズの CEO、ヨッヘン・ハネベックは次のように述べています。「この目覚ましい成果は、イノベーションにおける当社の強固な強みを示しており、当社のグローバル チームのたゆまぬ努力の証です。私たちは、この技術的ブレークスルーが業界の規範を再構築し、GaN テクノロジーの可能性を最大限に引き出すと確信しています。 GaN Systems の買収からほぼ 1 年が経ち、当社は急速に成長する GaN 市場をリードする決意を改めて示しています。パワーシステムのリーダーとして、インフィニオンはシリコン、炭化ケイ素、GaNという3つの主要な材料で競争力を獲得しました。」

インフィニオンのCEO、ヨッヘン・ハネベック氏は、既存のスケーラブルな大量製造環境で製造された世界初の300mm GaNパワーウェーハの1つを手にしています

300mm GaN テクノロジーが有利なのはなぜですか?

300mm GaN テクノロジーの大きな利点の 1 つは、GaN とシリコンは製造プロセスにおいて類似点を共有しているため、既存の 300mm シリコン製造装置を使用して製造できることです。この機能により、インフィニオンはGaNテクノロジーを現在の生産システムにシームレスに統合できるようになり、テクノロジーの採用と応用が加速します。

インフィニオンはどこで 300mm GaN ウェーハの生産に成功していますか?

現在、インフィニオンはオーストリアのフィラッハにある発電所の既存の300mmシリコン生産ラインで300mm GaNウェハの製造に成功しています。同社は、200mm GaN 技術と 300mm シリコン生産の確立された基盤を基盤として、その技術力と生産能力をさらに拡大してきました。

この画期的な進歩は将来に何を意味しますか?

この躍進は、イノベーションと大規模生産能力におけるインフィニオンの強みを際立たせるだけでなく、パワー半導体業界の将来の発展に向けた強固な基盤を築くことにもなります。 GaNテクノロジーが進化し続ける中、インフィニオンは引き続き市場の成長を推進し、世界の半導体業界におけるリーダーとしての地位をさらに強化していきます。**