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静電チャック(ESC)とは何ですか?

半導体製造では、エッチングプロセスの精度と安定性が最も重要です。高品質のエッチングを実現するための重要な要素の 1 つは、プロセス中にウェーハがトレイ上で完全に平らであることを保証することです。

より高い電力密度と効率への取り組みは、データセンター、再生可能エネルギー、家庭用電化製品、電気自動車、自動運転技術など、複数の業界にわたるイノベーションの主な原動力となっています。ワイドバンドギャップ (WBG) 材料の分野では、窒化ガリウム (GaN) と炭化ケイ素 (SiC) が現在 2 つのコアプラットフォームであり、パワー半導体の革新をリードする極めて重要なツールとみなされています。これらの材料は、増え続ける電力需要に対応するためにパワーエレクトロニクス業界を大きく変革しています。

熱場とは何ですか?

単結晶育成の分野では、結晶育成炉内の温度分布が重要な役割を果たします。一般に熱場と呼ばれるこの温度分布は、成長する結晶の品質と特性に影響を与える重要な要素です。熱場は、静的と動的の 2 つのタイプに分類できます。

等方性黒鉛製造技術

等方圧プレス技術は等方性グラファイトの製造において重要なプロセスであり、最終製品の性能を大きく決定します。そのため、等方性グラファイト生産の包括的な研究と最適化は、依然として業界において重要な焦点となっています。

炭素系材料表面上の TaC コーティングの研究の進歩

グラファイト、カーボンファイバー、カーボン/カーボン (C/C) 複合材料などのカーボンベースの材料は、高い比強度、高い比弾性率、優れた熱特性で知られており、幅広い高温用途に適しています。。これらの材料は、航空宇宙、化学工学、エネルギー貯蔵の分野で広く利用されています。しかし、高温環境では酸化や腐食を受けやすく、耐傷性も低いため、さらなる用途は制限されています。

窒化ガリウム (GaN) 基板の用途は何ですか?

窒化ガリウム (GaN) は、その卓越した電子的および光学的特性で知られる、半導体技術における重要な材料です。 GaN はワイドバンドギャップ半導体であり、バンドギャップエネルギーが約 3.4 eV であるため、高出力および高周波アプリケーションに最適です。

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GaN と SiC: 共存か代替か?

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