Semicorex MOCVD エピタキシー サセプタは、有機金属化学気相成長 (MOCVD) エピタキシーの重要なコンポーネントとして登場し、優れた効率と精度での高性能半導体デバイスの製造を可能にします。材料特性のユニークな組み合わせにより、化合物半導体のエピタキシャル成長中に遭遇する厳しい熱的および化学的環境に完全に適しています。**
要求の厳しいエピタキシーアプリケーションの利点:
超高純度:の MOCVD エピタキシャル サセプタは、超高純度レベルを達成するように作られており、成長するエピタキシャル層に不要な不純物が混入するリスクを最小限に抑えます。この卓越した純度は、高いキャリア移動度を維持し、最適なドーピングプロファイルを達成し、最終的には高性能半導体デバイスを実現するために極めて重要です。
優れた熱衝撃耐性:MOCVD エピタキシー サセプタは熱衝撃に対する優れた耐性を示し、MOCVD プロセス特有の急激な温度変化や温度勾配に耐えます。この安定性により、重要な加熱および冷却段階で一貫した信頼性の高いパフォーマンスが確保され、ウェーハの反り、応力による欠陥、プロセス中断のリスクが最小限に抑えられます。
優れた耐薬品性:MOCVD エピタキシー サセプタは、高温で形成される可能性のある腐食性副生成物を含む、MOCVD で使用される幅広い反応性ガスや化学物質に対して優れた耐性を示します。この不活性により、エピタキシャル層の汚染が防止され、所望の電気的および光学的特性を達成するために重要な、堆積された半導体材料の純度が確保されます。
コンプリートでの入手可能性× 形状: MOCVD エピタキシー サセプタは、MOCVD リアクタ内のガスの流れのダイナミクスと温度の均一性を最適化するために、複雑な形状や幾何学形状に精密に機械加工できます。このカスタマイズされた設計機能により、基板ウェーハの均一な加熱が可能になり、不均一なエピタキシャル成長やデバイス性能の原因となる温度変動を最小限に抑えることができます。