エピタキシーコンポーネント

Semicorex エピタキシー コンポーネントは、特に次の用途に使用するために設計された高性能 SiC コーティングされたグラファイト部品です。LPEリアクター、炭化ケイ素 (SiC) のエピタキシャル成長プロセスの LPE における重要な移行部分として機能します。この革新的なコンポーネントは、SiC 結晶成長の効率と品質を向上させる上で重要な役割を果たします。SiC 結晶成長は、パワー エレクトロニクス、高温センサー、最先端の半導体デバイスなどの幅広いアプリケーションに不可欠です。

高純度のグラファイトで構成され、耐久性のある炭化ケイ素の層でコーティングされたエピタキシー コンポーネントは、優れた熱伝導性と優れた機械的強度を兼ね備えています。のSiCコーティングコンポーネントの耐薬品性を向上させるだけでなく、優れた熱安定性も提供するため、LPE プロセスの厳しい条件に最適です。当社の細心の注意を払った製造プロセスにより、均一なコーティング厚さと性能の一貫性が保証され、結晶成長中の正確な制御が可能になります。

エピタキシー コンポーネントは、リアクター内の最適な流体力学を促進するように設計されており、成長材料の均一な分布を保証します。その革新的な設計は乱流を最小限に抑え、物質輸送を強化し、より均一で欠陥のない SiC 層を実現します。これは、結晶の品質がデバイスのパフォーマンスに直接影響を与えるアプリケーションでは非常に重要です。

SiCエピタキシー半導体業界、特に高電圧および高温で動作するパワーデバイスにとって、その重要性はますます高まっています。エピタキシー コンポーネントはこのプロセスの重要な部分であり、メーカーが現代の電子アプリケーションの厳しい要求を満たす高品質の SiC ウェーハを生産できるようになります。電気自動車、再生可能エネルギー システム、ハイパフォーマンス コンピューティング市場の成長に伴い、信頼性の高い SiC 基板の需要が高まり続けています。

エピタキシー コンポーネントの有効性はさまざまな LPE セットアップで証明されており、その性能は SiC 結晶の全体的な歩留まりと品​​質に大きく貢献します。このコンポーネントは、反応器内の異なる材料間に安定した遷移界面を提供することで、プロセス全体の信頼性を高め、ダウンタイムを削減し、スループットを向上させます。