Epi-SiC受容体

Semicorex Epi-SiC サセプタは、高温耐久性、化学的不活性性、優れた熱拡散性が融合したもので、エピタキシャル成長と同義の激しい条件に直面しても回復力と効率性の模範となります。 SiC コーティングを適用すると、Epi-SiC サセプタの熱特性が大幅に向上します。この強化により、半導体ウェーハ全体に一貫した高品質のエピタキシャル層を堆積するために極めて重要な、ウェーハの加熱に不可欠な均一な熱分布が促進されます。

ウェーハエピタキシャルプロセスの厳しい要求を満たすようにカスタマイズされた Epi-SiC サセプタは、炉環境内でのウェーハのシームレスな搬送を支えます。その堅牢な設計は、ウェーハの位置ずれや損傷に対する防波堤となり、エピタキシャル層開発の重要な段階を通じて損傷の発生を軽減します。さらに、Epi-SiC サセプターは、その下のグラファイト基板の保護バリアとして機能し、エピタキシャル プロセスによって誘発される可能性のある化学的相互作用や摩耗からグラファイト基板を保護します。

弾力性のあるグラファイトコアと保護SiCコーティングの融合により、Epi-SiCサセプターの性能基準が強化されるだけでなく、耐用年数も大幅に延長されます。その結果、半導体製造企業にとっては継続的な操業上の節約という形で配当が得られる投資となり、Epi-SiC サセプターは製造操業の最適化を目指す企業にとって賢明な選択肢として位置付けられます。