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AlNセラミックるつぼ
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AlNセラミックるつぼ

Semicorex が提供する AlN セラミックるつぼは、極端な条件に耐えるように設計されており、非鉄金属やガリウムヒ素などの半導体材料を扱う専門家にとって不可欠なツールです。

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製品説明

AlNセラミックるつぼの材質特性


 1. 超高熱伝導率

 AlN セラミックるつぼの最も特徴的な特徴の 1 つは、その値が 225 W/m・K を超える超高熱伝導率です。この特性により効率的な熱伝達が確保され、るつぼは高温用途に最適になります。非鉄金属の溶解や半導体材料の合成などのプロセスでは、熱を迅速かつ均一に分散する能力が重要であり、最適な結果を得るには熱安定性を維持することが不可欠です。


 るつぼの優れた熱伝導率は、プロセス効率を向上させるだけでなく、エネルギー消費を削減し、より持続可能な産業運営に貢献します。


 2. 優れた熱安定性

 AlN セラミックるつぼは極端な温度に耐えることができ、2450°C でのみ分解します。この高い熱安定性により、高温耐火るつぼとして効果的に機能することができ、他の材料が破損する可能性がある厳しい環境に適しています。このような条件下での復元力により、最も要求の厳しいアプリケーションでも長期にわたるパフォーマンスと信頼性が保証されます。


 この安定性は、長期間にわたって一貫したパフォーマンスを必要とするプロセスにとって非常に重要であり、ダウンタイムを削減し、生産性を向上させます。


 3. 耐薬品性

 AlN セラミックるつぼは優れた耐食性を示し、銅、アルミニウム、銀、その他の非鉄金属とは反応しません。また、アルミニウム、鉄、アルミニウム合金の溶解にも耐性があるため、これらの材料を溶解および加工するための理想的な容器となります。この化学的不活性により、るつぼは有害な物質の影響を受けず、長期間にわたってその完全性と性能が維持されます。


半導体用途では、ガリウムヒ素などの溶融塩に対するるつぼの安定性は、シリコンからの汚染を防ぎ、高純度の半導体材料の製造を可能にするため、特に価値があります。


4. 電気絶縁と信号の完全性

誘電率が低い AlN セラミックるつぼは、電子信号の干渉に対して効果的な絶縁を提供します。この特性は、デバイスのパフォーマンスにとって信号の完全性を維持することが重要である電子および半導体アプリケーションでは不可欠です。るつぼの電気絶縁機能により信号劣化のリスクが軽減され、敏感な環境でも信頼性の高い動作が保証されます。


この特徴は、熱応力や歪みを防ぐためにシリコンの膨張係数との適合性が必要な、半導体シリコンウェーハを含むプロセスで特に有利です。


5. 優れた機械的強度

AlN セラミックるつぼは、従来のアルミナるつぼよりも機械的強度が優れており、耐久性と機械的ストレスに対する耐性が強化されています。この堅牢な構造により、るつぼは厳しい産業用途に耐えることができ、困難な条件下でも形状と機能が維持されます。


機械的強度の向上によりるつぼの寿命が延び、交換頻度が減り、運用コストが最小限に抑えられます。





AlNセラミックるつぼの用途


1. 高温耐火物の用途

高温耐火物用途では、AlN セラミックるつぼはその優れた熱安定性と伝導性により非常に貴重です。極度の熱に耐えるその能力は、高品質の結果を達成するために熱的完全性を維持することが重要である非鉄金属の溶解や鋳造などのプロセスに最適です。このような環境におけるるつぼの回復力により、一貫したパフォーマンスが確保され、産業運営の効率と信頼性が向上します。


2. 半導体製造

AlN セラミックるつぼは、ガリウムヒ素半導体の合成において重要な役割を果たします。化学的安定性とシリコンによる汚染に対する耐性により、高度な電子デバイスの製造に不可欠な高純度のガリウムヒ素の生産が可能になります。このるつぼは半導体シリコンウェーハと互換性があるため、この用途への適合性がさらに高まり、半導体プロセスにおける正確で信頼性の高い結果が保証されます。


3. 電子および信号アプリケーション

電子用途では、AlN セラミックるつぼは信号干渉に対して優れた絶縁を提供するため、高出力電子デバイスが関与するプロセスに適しています。誘電率が低いため、電子信号が乱されないことが保証され、パワー ダイオード、高電圧トランジスタ、RF パワー アンプなどの高性能デバイスの開発がサポートされます。シグナルインテグリティに対するるつぼの貢献は、デバイスの最適な機能と信頼性を実現するために非常に重要です。


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