静電チャックESC

Semicorex 静電チャック ESC は、誘電体セラミック層に印加される高電圧直流 (DC) を利用した静電付着の原理に基づいて動作します。この技術により、処理中にウェーハやその他の材料を確実に取り付けることができ、さまざまな製造段階を通じて安定性と精度の両方が保証されます。

高い DC 電圧がチャックに印加されると、セラミック誘電体層内の荷電イオンが移動し、その表面に蓄積します。これにより、チャックと処理される製品の間に強力な静電場が生成されます。生成される静電引力はウェーハを所定の位置に保持するのに十分な強さがあるため、複雑で高精度の操作中であってもウェーハが動かないことが保証されます。この確実な保持は、処理されたウェーハの品質と完全性を損なう可能性がある微小な動きや振動を軽減するのに役立つため、非常に重要です。また、最小限の機械的接触でウェーハを固定できるため、物理的損傷も防止でき、これは従来のクランプ方法に比べて明らかな利点です。

J-Rタイプ静電チャックESCには、この静電吸着を実現するために不可欠な電極が内蔵されています。これらの電極はチャック内に配置され、処理されるウェーハまたはその他の材料の表面全体に静電力を均等に分散します。この均一な分布により、エッチング、イオン注入、堆積などの複雑なプロセス中に均一性を維持するために必要な一貫した圧力が保証されます。静電チャック ESC が提供する正確な接着により、最新の半導体製造の厳しい仕様に対応できます。

静電チャック ESC は、主な接着機能に加えて、高度な温度制御システムを備えています。チャックには、処理される製品の温度を調整するように設計された統合加熱要素が含まれています。わずかな温度変化でもプロセスの結果に影響を与える可能性があるため、温度制御は半導体製造において重要な要素です。静電チャック ESC はマルチゾーン温度制御を提供し、ウェーハの異なるセクションを個別に加熱または冷却できます。これにより、ウェーハの表面全体にわたって温度が一貫して維持されることが保証され、均一な処理結果が促進され、熱損傷や反りのリスクが軽減されます。

静電チャック ESC の構造に高純度の材料が使用されていることも注目すべき特徴です。このチャック用に選択された材料は、半導体製造における重大な懸念事項である微粒子汚染を最小限に抑えるように設計されています。小さな粒子であっても、製造中の微細構造に欠陥が生じる可能性があり、歩留まりの低下や製品の故障の可能性をもたらします。静電チャック ESC は高純度の材料を使用することで、加工環境への汚染物質の混入リスクを軽減し、高品質な生産をサポートします。

静電チャックESCはプラズマ侵食に耐性があります。多くの半導体プロセス、特にエッチングや堆積では、チャックは反応性プラズマ環境にさらされます。時間の経過とともに、この暴露によりチャックに使用されている材料が劣化し、チャックの性能と寿命に影響を与える可能性があります。静電チャック ESC はプラズマ侵食に耐えるように特別に設計されており、過酷な処理環境でも構造の完全性と性能を維持できます。この耐久性により耐用年数が長くなり、頻繁な交換の必要性が減り、生産ラインのダウンタイムが最小限に抑えられます。

静電チャック ESC の機械的特性も非常に重要です。チャックは非常に厳しい公差で製造されており、特定の用途に必要な正確な形状と寸法を確実に維持します。高精度の機械加工技術を使用して、必要な表面の平坦性と平滑性を実現します。これは、均一な静電付着を確保し、繊細なウェーハを損傷するリスクを最小限に抑えるために不可欠です。チャックの機械的強度も同様に優れており、高温高圧プロセス中に加えられる物理的ストレスに耐えることができ、変形したりウェハをしっかりと保持する能力を失うことはありません。