8インチEPIトップリング

Semicorex 8インチEPIトップリングは、反応チャンバーの上部カバーリングとして高性能を提供するエピタキシャル（EPI）堆積システムの特殊なコンポーネントです。半導体ウェーハのエピタキシャル成長中の構造の完全性と熱安定性に焦点を当てているEPIトップリングは、高純度グラファイトで作られており、半導体製造の温度と化学的に反応的な環境に耐えるために炭化シリコン（SIC）でコーティングされています。

エピタキシャル反応器では、トップリングはウェーハ環境を保持するのに役立ち、受容器アセンブリの一部として堆積中の温度均一性とガスの流れに重要な役割を果たします。グラファイト基板上のSICコーティングは、EPIトップリング（水素、シラン、クロロシランなど）の性能中にプロセスガスにさらされるため、グラファイトコアを保護するために必要な熱安定性と不活性環境を備えたEPIトップリングを提供します。 SIC層の硬度と導電率は、分解を防ぎ、生産サイクル全体でより安定した層を可能にすることにより、EPIトップリングの性能を向上させます。

寸法の精度、コーティングの一貫性、再現性へのコミットメントにより、8インチEPIトップリングは精密エンジニアリングで製造されています。グラファイト基板は緊密な許容範囲に加工され、不純物を分離するように熱的に精製され、優れた純度と強度を備えたきれいな基板を供給します。 SICコーティングは、化学蒸気堆積（CVD）を介して適用され、密な、一貫した、強く結合された保護層を形成します。このプロセスは、粒子の生成を最小限に抑え、コーティングが拡張された使用中に表面の完全性を維持できるようにします。

半導体メーカーは、重要なチャンバーパラメーターを維持し、生産中に欠陥のないウェーハをサポートするためにEPIトップリングに依存しています。構成は、OEM 8インチの主要なウェーハ処理システムで使用するために設計されています。カスタムオプションは、厚さ、表面仕上げ、およびより良い熱管理やガス分布のための溝付きデザインに利用できます。

このアプリケーション用のSICコーティンググラファイトの特性に適合すると、両方の材料から最高の特性を組み合わせることができます。グラファイトは非常に機密性が高く、熱衝撃耐性と炭化シリコンと組み合わせた耐衝撃性があり、耐性が耐性があり、サービス寿命が長くなります。この組み合わせは、最終的に高温で信頼できるEPIトップリングを提供し、メンテナンス間隔を削減し、全体的に強化された機器の稼働時間を提供する清潔で安定した加工環境を保証します。

グラファイトコンポーネントは、半導体製造に不可欠で重要な役割を果たします。グラファイト材料の品質は、完成品の品質に大きく影響します。グラファイトバッチの一貫性と材料の均一性は、生産プロセス全体で制御および保証されています。

1.わずか50立方メートルの容量の小さな炭化炉を使用した、smallバッチ生産。

2。各材料は監視および追跡されます。

3.炉内の複数のポイントでの温度モニタリングにより、温度差が最小限に抑えられます。

4.材料の複数のポイントでの温度モニタリングにより、温度差が最小限に抑えられます。

Semicorexによる8インチEPIトップリングは、最も困難な半導体シリコン、炭化シリコン、またはその他の化合物半導体エピタキシープロセスで、例外的なパフォーマンス、バッチ間の一貫性、および実証済みの信頼性を提供します。すべての製造ステップでは、品質管理の製品を生産しています。つまり、半導体業界向けに購入したすべての製品が品質仕様を超えています。

エピタキシーアプリケーションのために、Semicorexの8インチEPIトップリングを選択して、収量とデバイスのパフォーマンスを改善するための精密エンジニアリング、優れた材料、アプリケーション固有のカスタマイズを通じて提供される可能性を活用します。