SiCコーティングを施したウェーハキャリア

SiC コーティングを施した Semicorex ウェーハ キャリアは、化学蒸着 (CVD) プロセス中に一貫した温度を維持するために不可欠な優れた熱安定性と伝導性を示します。これにより、基板全体に均一な熱分布が確保され、高品質の薄膜およびコーティング特性を実現するために重要です。

SiC コーティングを施したウェーハキャリアは厳格な基準に基づいて製造されており、均一な厚さと表面の滑らかさを保証します。この精度は、複数のウェーハにわたって一貫した堆積速度と膜特性を達成するために不可欠です。

SiC コーティングは不浸透性のバリアとして機能し、サセプターからウェーハへの不純物の拡散を防ぎます。これにより、高純度の半導体デバイスの製造に不可欠な汚染のリスクが最小限に抑えられます。 SiC コーティングを施した Semicorex ウェーハキャリアの耐久性により、サセプタ交換の頻度が減り、メンテナンスコストが削減され、半導体製造業務のダウンタイムが最小限に抑えられます。

SiC コーティングを施した Semicorex ウェーハキャリアは、サイズ、形状、コーティングの厚さのバリエーションなど、特定のプロセス要件を満たすようにカスタマイズできます。この柔軟性により、さまざまな半導体製造プロセスの固有の要求に合わせてサセプタを最適化することができます。カスタマイズ オプションにより、大量生産や研究開発などの特殊な用途に合わせたサセプタ設計の開発が可能になり、特定の使用例に最適なパフォーマンスを確保できます。