SiN基板

Semicorex 窒化ケイ素 SiN 基板は、優れた機械的、電気的、熱的特性を備えた高度なセラミック材料です。これらの基板は、結晶構造で結合したシリコン原子と窒素原子で構成されており、強度、耐久性、耐熱性の独自の組み合わせが得られます。 SiN 基板は、さまざまな高性能アプリケーション、特に半導体デバイスにおいて不可欠な材料となっており、これらの特性により集積回路 (IC)、センサー、微小電気機械システム (MEMS) の信頼性と効率が向上します。

主な特長

高い強度と靭性:SiN 基板は、他のセラミック材料と比較して、優れた機械的強度と靱性が認められています。極端な条件下でも亀裂に耐え、構造の完全性を維持する能力があるため、機械的安定性が重要な用途に非常に望ましいものとなっています。これは、高ストレス環境や正確な取り扱いが必要なことが多い半導体プロセスでは特に重要です。

優れた熱伝導率:熱管理は、半導体デバイスのパフォーマンスにとって重要な要素です。 SiN 基板は優れた熱伝導性を示し、電子部品のアクティブ領域から効率的に熱を放散します。この特性により、パフォーマンス低下の一般的な原因である過熱が防止され、最適な動作が確保され、デバイスの寿命が延びます。

化学的安定性と耐食性:窒化ケイ素は化学腐食に対する耐性が高いため、化学薬品や極端な温度への曝露が懸念される過酷な環境での使用に最適です。 SiN 基板は、腐食性ガス、酸、アルカリにさらされた場合でも構造の完全性を維持し、産業用途での長期信頼性を保証します。

低誘電率:マイクロ電子デバイスの基板に対する必須要件の 1 つは、誘電率が低いことです。 SiN 基板は誘電率が低いため、信号損失が減少し、集積回路の電気的性能が向上します。この機能は、信号の完全性が最重要である 5G 通信システムなどの高周波アプリケーションで特に重要です。

耐熱衝撃性:窒化ケイ素基板は、熱衝撃や亀裂を生じることなく、急激な温度変化に耐えることができます。この特性は、パワー エレクトロニクスや高温センサーなど、温度の突然の変化が一般的である、変動する熱環境を伴うアプリケーションで役立ちます。

Semicorex 窒化ケイ素 SiN 基板は、半導体業界だけでなくそれ以外の分野でも不可欠な独自の特性を備えています。機械的強度、熱伝導性、耐薬品性を兼ね備えているため、高い信頼性と性能が要求される用途に適した材料として位置付けられています。半導体デバイス、MEMS、オプトエレクトロニクス、パワー エレクトロニクスのいずれにおいても、SiN 基板はエレクトロニクスの未来を形作る最先端技術の基盤を提供します。