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SiCエピタキシー

SiCエピタキシー

Semicorex は、炭化ケイ素デバイスの開発向けに、基板上にカスタム薄膜 (炭化ケイ素) SiC エピタキシーを提供します。 Semicorex は高品質の製品を競争力のある価格で提供することに尽力しており、中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

Semicorex は、炭化ケイ素デバイスの開発向けに、基板上にカスタム薄膜 (炭化ケイ素) SiC エピタキシーを提供します。

 

SiC エピタキシーは、ドーパントを組み込んだり、異なる結晶方位を成長させたりすることで、特定のデバイス要件を満たすように調整できます。エピタキシャル層に窒素やアルミニウムなどの不純物をドーピングすると、キャリア濃度の制御やpn接合の作成などの電気的特性の変更が可能になります。


SiC エピタキシャル層の品質は、X 線回折、走査型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、電気測定などのさまざまな特性評価手法を通じて評価されます。これらの技術は、エピタキシャル層の結晶構造、表面形態、および電気的性能を評価するのに役立ちます。

 

Semicorex は、SiC エピタキシャル ウェーハ、GaN エピタキシャル ウェーハ、Si エピタキシャル、SiC ウェーハなどを提供できます。



 

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