850V ハイパワー GaN-on-Si エピウェーハ

Semicorex は 850V 高出力 GaN-on-Si エピウェハを提供しています。 HMET パワーデバイス用の他の基板と比較して、850V ハイパワー GaN-on-Si Epi ウェーハは、より大きなサイズとより多様なアプリケーションを可能にし、主流のファブのシリコンベースのチップに迅速に導入できます。 Semicorex は高品質の製品を競争力のある価格で提供することに尽力しており、中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

Semicorex 850V High Power GaN-on-Si Epi Waferは、独自のバッファ層成長技術を活用し、成長機構の改良と成長条件の精密制御によりエピタキシャルウェーハの高均一性、高耐圧、低リーク電流を実現しました。、成長条件を正確に制御することにより、優れた 2D 電子ガス濃度を実現します。その結果、GaN-on-Si の不均一エピタキシャル成長によってもたらされる課題を克服し、高電圧に適した製品の開発に成功しました。

850VハイパワーGaN-on-Siエピウェーハの特長」

●真の高耐電圧性。

●世界トップレベルの耐電圧管理レベルです。

●電流密度100mA/mm以上。