sic epi wafers

Semicorex sic Epi Wafersは、化学蒸気堆積（CVD）によって基質の表面に成長したSIC単結晶フィルムの層を持つウェーハです。そのドーピングタイプ、ドーピング濃度、および厚さは、デバイスの設計要件に応じて正確に制御できます。デバイス機能領域のコアコンポーネントです。

SIC EPI WAFERSの重要な特性

エピタキシャルウェーハの性能は、次の特性によって決定されます。

ドーピングキャラクター：

SIC EPIウェーファーは、ドーピング濃度（N型またはPタイプ）を正確に制御することにより、必要な電気特性を実現し、濃度の均一性が重要な指標です。

厚さ制御：

デバイスの設計要件によれば、エピタキシャル層の厚さは数ミクロンから数十ミクロンまでの範囲になります。たとえば、高電圧デバイスには、より高い分解電圧をサポートするために、より厚いエピタキシャル層が必要です。

表面の品質：

エピタキシャル層の表面の平坦性は、デバイスの製造精度に直接影響します。ナノスケールの表面粗さと欠陥密度が低いことが、エピタキシャルウェーハの重要な要件です。

SIC EPI WAFERSの主な準備プロセス

エピタキシャルウェーハの生産は、主にCVDテクノロジーを通じて達成されます。炭素源とシリコン源ガスは高温で反応し、基質表面に堆積してエピタキシャル層を形成します。

プロセスパラメーターの影響：

温度、ガスの流れ、大気、およびその他の要因は、厚さ、ドーピングの均一性、およびエピタキシャル層の表面の品質に直接影響します。

SIC EPI WAFERSの中心的な役割

エピタキシャルウェーハは、SICデバイスで決定的な役割を果たします。アクティブな領域として：現在のチャネルやPN接合部の形成など、必要な電気特性を提供します。デバイスのパフォーマンスを決定する：ブレークダウン電圧や抵抗などの重要なパラメーターなど。

SIC EPIウェーハの複数の分野でのアプリケーション

新しいエネルギー車：持久力とパフォーマンスのためのデュアルブーストエンジン

グローバルな自動車産業が電化への変換を加速するにつれて、新しいエネルギー車のパフォーマンスの最適化が主要な自動車メーカー間の競争の焦点となっています。 SIC EPI WAFERSは、これに不可欠な役割を果たしています。新しいエネルギー車のコアコンポーネント - モータードライブシステム、炭化シリコンエピタキシャルウェーハに基づく電力装置。より高い周波数スイッチングアクションを達成し、スイッチング損失を大幅に削減し、モーターの動作効率を大幅に改善できます。これは、強力な電力源を車に注入するようなものです。これにより、車両の巡航範囲が効果的に増加するだけでなく、加速や登山などの条件下で車両のパフォーマンスが向上します。たとえば、一部のハイエンド電気自動車がシリコン炭化物の電力モジュールを採用した後、駆動範囲を10％から15％増やし、充電時間を大幅に短縮できるため、ユーザーに非常に便利で運転体験が向上します。同時に、ボード上の充電器（OBC）および電力変換システム（DC-DC）の観点から、炭化シリコンのエピタキシャルウェーハの適用により、充電がより効率的になり、サイズが小さく、体重が軽くなり、車の全体的な構造を最適化するのに役立ちます。

パワーエレクトロニクス：スマートで効率的なパワーグリッドを構築する礎石

パワーエレクトロニクスの分野では、SIC EPI WAFERSは、スマートグリッドの建設が新たな高みに達するのを支援しています。従来のシリコンベースのパワーデバイスは、送電と変換に対する需要の高まりに直面して、徐々に制限を明らかにしています。優れた高電圧、高温、高出力特性を備えた炭化シリコンエピタキシャルウェーファーは、電力機器のアップグレードに理想的なソリューションを提供します。送電リンクでは、シリコン炭化物の電力装置は、電気エネルギーのための遮るもののない「高速道路」を舗装するように、伝送プロセス中のエネルギー損失をより高い効率で長距離にわたって電気エネルギーを送信でき、電力透過容量とパワーグリッドの安定性を大幅に改善することができます。電力変換と分布の観点から、電力電子変圧器、反応性補償装置、および変電所のその他の機器での炭化シリコンエピタキシャルウェーハの使用は、電力パラメーターをより正確に制御し、電力グリッドのインテリジェントな調節を実現し、発電力網の信頼性と電力品質を効果的に改善し、日常生活の安定した信頼できる電力供給を確保します。