SiCコーティングされたグラファイトトレイ

エピタキシャル装置の主要コンポーネントとして、SiCコーティングされたグラファイトトレイ、エピタキシャル層成長の生産効率、均一性、欠陥率に直接影響します。    

黒鉛の精製、精密加工、洗浄処理により、黒鉛基板の表面は優れた平坦性と平滑性を実現し、パーティクル汚染のリスクを回避します。化学気相成長法により、グラファイト基板の表面が反応性ガスと化学反応を起こし、緻密で細孔のない均一な厚さの炭化ケイ素 (SiC) コーティングが生成されます。基板準備からコーティング処理までの全工程を、半導体に適したクリーン度基準を満たしたクラス100のクリーンルームで行っています。

高純度・低不純物の黒鉛とSiC材料からなるSiCコートグラファイトトレイは、優れた熱伝導率と低い熱膨張係数を備えています。これにより、SiC コーティングされたグラファイト トレイが熱を迅速かつ均一に伝達してエピタキシャル層の成長品質を向上させるだけでなく、熱応力によるコーティングの剥離や亀裂のリスクを効果的に低減できます。また、均一で緻密なSiCコーティングは高温、酸化、腐食に強く、高温や腐食性ガス環境下でも長期間安定した動作を保証します。

SiC コーティングされたグラファイト トレイは、有機金属化学気相成長 (MOCVD) 装置との高い互換性を備えています。さまざまなプロセスパラメータや機器要件に適応できるよう、細心の注意を払ってサイズ設定および設計されています。 Semicorex は、SiC コーティングされたグラファイト トレイのさまざまなサイズ、コーティングの厚さ、表面粗さの要件を正確に満たすために、大切なお客様に専門的にカスタマイズされたサービスを提供することを常に主張しています。