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MOCVD用SiCグラファイトRTPキャリアプレート

MOCVD 用 Semicorex SiC グラファイト RTP キャリアプレートは、優れた耐熱性と熱均一性を備え、半導体ウェーハ処理用途に最適なソリューションです。高品質の SiC コーティングされたグラファイトを使用したこの製品は、エピタキシャル成長のための最も過酷な堆積環境に耐えるように設計されています。高い熱伝導率と優れた熱分布特性により、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄において信頼性の高いパフォーマンスが保証されます。

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MOCVDエピタキシャル成長用RTPキャリア

MOCVD エピタキシャル成長用 Semicorex RTP キャリアは、エピタキシャル成長やウェーハハンドリング処理などの半導体ウェーハ処理アプリケーションに最適です。カーボングラファイトサセプタおよび石英るつぼは、グラファイト、セラミックスなどの表面にMOCVDによって加工されます。当社の製品は価格面での優位性があり、ヨーロッパおよびアメリカの多くの市場をカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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