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酸化ガリウムウェーハの応用例

酸化ガリウムウェーハの応用例

酸化ガリウム (Ga2O3) は、特にパワーデバイスや高周波 (RF) デバイスなど、さまざまな用途に有望な材料として浮上しています。この記事では、これらの分野における酸化ガリウムの主要な機会とターゲット市場を探ります。

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酸化ガリウム(Ga2O3)のご紹介

酸化ガリウム(Ga2O3)のご紹介

「超ワイドバンドギャップ半導体」材料として酸化ガリウム（Ga2O3）が注目を集めています。超ワイドバンドギャップ半導体は「第4世代半導体」に分類され、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）といった第3世代半導体と比べ、酸化ガリウムは4.9eVというバンドギャップ幅を誇ります。炭化ケイ素の3.2eVと窒化ガリウムの3.39eV。バンドギャップが広いということは、電子が価電子帯から伝導帯に遷移するのにより多くのエネルギーを必要とすることを意味し、酸化ガリウムに高電圧耐性、高温耐性、高出力能力、耐放射線性などの特性を与えます。

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黒鉛化とは何ですか？

黒鉛化とは何ですか？

黒鉛化とは、炭素材を電気抵抗熱を利用して2300～3000℃に加熱し、高温熱処理により非黒鉛状の炭を黒鉛の三次元規則配列構造を有する黒鉛状炭に変化させる工程です。アモルファスカオス層構造から規則的なグラファイト結晶構造へ。

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半導体シリコン単結晶の熱場コーティング

半導体シリコン単結晶の熱場コーティング

半導体シリコン単結晶ホットフィールドのコーティング部品は、一般的にCVD法によりコーティングされており、熱分解炭素コーティング、炭化ケイ素コーティング、炭化タンタルコーティングなどがあり、それぞれ特性が異なります。

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グラファイトボートのコア技術を紹介

グラファイトボートのコア技術を紹介

Graphite Boat は、業界の技術革新の最前線に立っており、性能、純度、寿命を向上させるために設計された一連の画期的な進歩を特徴としています。以下では、グラファイトボートの卓越性を定義するコアテクノロジーについて詳しく説明します。

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PVT法による高品質SiC結晶成長用ポーラスグラファイト

PVT法による高品質SiC結晶成長用ポーラスグラファイト

炭化ケイ素 (SiC) は、半導体技術分野の主要な材料として浮上しており、さまざまなエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス用途にとって非常に望ましい優れた特性を備えています。高品質の SiC 単結晶の製造は、パワーエレクトロニクス、LED、高周波デバイスなどのデバイスの機能を向上させるために不可欠です。この記事では、4H-SiC 単結晶成長のための物理蒸気輸送 (PVT) 法における多孔質グラファイトの重要性を詳しく掘り下げます。

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