30mm窒化アルミニウムウェハ基板

Semicorex 30mm 窒化アルミニウム ウェーハ基板基板は、高度な半導体アプリケーションに不可欠な優れた特性を誇ります。広いバンドギャップにより、パワー エレクトロニクスにとって重要な漏電を最小限に抑えながら、デバイスを高電圧および高温で動作させることができます。 30mm 窒化アルミニウムウェハ基板の高い熱伝導率は、高出力デバイスで発生する熱を管理する上で極めて重要であり、デバイスの信頼性と性能を効果的に向上させます。さらに、30mm 窒化アルミニウム ウェーハ基板の高絶縁破壊領域により、絶縁破壊することなく高電界に耐えることができるデバイスが可能になり、高電力密度と効率を必要とするアプリケーションに最適です。

30mm 窒化アルミニウム ウェーハ基板は高い電子移動度を示し、これにより周波数応答が向上し、より高速な電子デバイスが実現します。この特性は、迅速な信号伝送と処理が必要な無線周波数 (RF) デバイスや高速エレクトロニクスの製造において特に有益です。さらに、30mm 窒化アルミニウム ウェーハ基板の耐食性と耐放射線性により、材料が腐食性ガスや高レベルの放射線にさらされる宇宙用途などの過酷な環境に最適です。この復元力により、極端な条件下でもデバイスの長期信頼性と機能性が確保され、30mm 窒化アルミニウム ウェハ基板はオプトエレクトロニクス デバイスや高出力/高周波電子部品に最適な基板となっています。

当社は現在、10x10mm、Φ10mm、Φ15mm、Φ20mm、Φ25.4mm、Φ30mm、Φ50.8mmの高品質窒化アルミニウム単結晶基板を標準化した製品をお客様に提供しています。また、10～20mmの無極性M面窒化アルミニウム単結晶基板も供給しております。オーダーメイドのニーズに応じて、5mm ～ 50.8mm の範囲の窒化アルミニウム単結晶基板研磨スライスをカスタマイズできます。この幅広い製品はクライアントの数多くのニーズに応え、多様な技術フロンティアの探求を可能にします。