窒化アルミニウム基質

窒化アルミニウム基質の定義は、シリコンベースの窒化アルミニウムテンプレートを指しています。 5Gの時代が展開すると、高周波アプリケーションが急速に勢いを増しています。 5Gネットワ​​ークの拡張と開発は、より高い動作周波数とともに、ますます多くの周波数帯域の需要を押し進めます。 Waveは、RFフィルターの量と品質の両方で比例して要件を比較的上げています。高性能RFフィルター製造業を有効にすることは、高品質であることが証明された圧電基質材料に不可欠な要件です。

超幅のバンドギャップ半導体窒化アルミニウム基質は、多くの優れた特性により、電子機器とオプトエレクトロニクスでの高度な使用のための潜在的な材料であるため、計り知れない用途の可能性のある材料です。最大6.2 eVのバンドギャップは、高い磁場分解、高い飽和電子ドリフト速度、化学、および熱安定性の強度要件を示しています。優れた熱伝導率と放射線抵抗も同様です。これらの特性により、ALNは、特に5G通信技術において、高性能の電子デバイスに不可欠な資料となります。

酸化亜鉛（ZNO）、鉛ジルコン酸チタン酸亜鉛（PZT）、およびタンタラートリチウム/ニオベートリチウム（LT/LN）などの従来の圧電材料と比較して、窒化アルミニウムは5G RFフィルターに非常に適した例外的な特性を示します。これらの特性には、高い電気抵抗率、優れた熱伝導率、優れた安定性、および超高速音響波伝播速度が含まれます。具体的には、alnの縦波速度は約11,000 m/sに達し、横波速度は約6,000 m/sです。これらの特性は、高性能表面音波（SAW）、バルク音響波（BAW）、およびフィルムバーク音響共振器（FBAR）RFフィルターの最も理想的な圧電材料の1つとして位置付けられています。

窒化アルミニウム基板は、主に5G RFフロントエンドフィルターの圧電材料市場向けに設計されています。この製品の品質と主要なパラメーターは、権威あるサードパーティの機関とウェーハレベルの処理評価によって厳密にテストおよび検証されています。これらの評価により、製品は国際基準を満たしており、さらにはそれを超えていることが確認されています。さらに、大規模な製造に必要な技術はすでに確立されており、市場の需要を満たすために安定した大量生産と供給を確保しています。

5Gネットワ​​ークの展開により、非常に効率的で信頼性の高いRFフィルターを使用して、周波数帯域の増加を処理する必要があります。 ALN基板は、RFフロントエンドモジュールの不可欠なコンポーネントであるSAW、BAW、およびFBARフィルターの製造に重要な役割を果たします。これらのフィルターは、正確な周波数選択、信号増幅、干渉の削減を可能にし、スマートフォン、ベースステーション、IoTアプリケーションなどの5G通信デバイスでスムーズで高速のデータ送信を確保します。

さらに、窒化アルミニウム基板はRFフィルターのみに限定されません。また、パワーエレクトロニクス、高周波トランジスタ、光電子デバイス、衛星通信に有望な用途があります。高電圧に耐え、極端な条件で動作する能力は、次世代の電子コンポーネントにとって魅力的な選択となります。