シコイウエハー

私たちはウエハースは、独自の製法で作られた3層構造の複合半導体材料です。

SICOI ウェーハ構造の最下層はシリコン基板であり、SICOI ウェーハの構造安定性を確保するための信頼できる機械的サポートを提供します。最適な熱伝導率により、熱蓄積による半導体デバイスの性能への影響が軽減され、高出力でも長時間正常に動作します。さらに、シリコン基板は、現在半導体製造で使用されている装置や機械と互換性があります。これにより、製品の研究開発と量産を加速しながら、製造コストと複雑さを削減することに成功しました。

シリコン基板と SiC デバイス層の間に位置する絶縁酸化物層は、SICOI ウェーハの中間層です。上層と下層の間の電流経路を絶縁することにより、絶縁酸化層は短絡のリスクを効果的に低減し、半導体デバイスの安定した電気的性能を保証します。低吸収特性により、光散乱を大幅に低減し、半導体デバイスの光信号伝送効率を向上させることができます。

炭化ケイ素デバイス層は、SICOI ウェーハ構造の基本的な機能層です。優れた機械的強度、高い屈折率、低い光損失、優れた熱伝導率により、高性能の電子、光子、量子機能を実現するために不可欠です。

SICOI ウェーハの用途:

1.光周波数コムなどの非線形光学デバイスの製造に。

2.集積フォトニックチップの製造用。

3.電気光学変調器の製造用

4.パワースイッチやRFデバイスなどのパワーエレクトロニクスデバイスの製造用。

5.加速度計やジャイロスコープなどのMEMSセンサーの製造用。