SiC コーティングされたハーフムーン部品

はハーフムーン パーツの基板材料であり、熱伝導率が非常に高く、重量と強度が比較的低いため選択されています。グラファイトの表面は、エピタキシャル成長に伴う攻撃的な環境に対して堅牢であるよう、高密度の高純度化学蒸着炭化ケイ素 (CVD SiC) 表面で覆われています。 SiC コーティングは部品の表面硬度を向上させ、水素や塩素などの反応性ガスに対する耐性を提供するため、長期安定性が良く、加工中の汚染が非常に少なくなります。ハーフムーン パーツではグラファイトと SiC が連携して、機械的強度と化学的および熱的特性の適切なバランスを実現します。

黒鉛はハーフムーン パーツの基板材料であり、熱伝導率が非常に高く、重量と強度が比較的低いため選択されています。グラファイトの表面は、エピタキシャル成長に伴う攻撃的な環境に対して堅牢であるよう、高密度の高純度化学蒸着炭化ケイ素 (CVD SiC) 表面で覆われています。 SiC コーティングは部品の表面硬度を向上させ、水素や塩素などの反応性ガスに対する耐性を提供するため、長期安定性が良く、加工中の汚染が非常に少なくなります。ハーフムーン パーツではグラファイトと SiC が連携して、機械的強度と化学的および熱的特性の適切なバランスを実現します。

の最も重要な役割の 1 つは、SiCコーティングハーフムーンパーツはウエハースのサポートです。ウェーハは、結晶層内の格子構造の均一な成長を促進するために、エピタキシー全体にわたって平坦で安定していることが期待されます。支持部品にある程度の曲がりや不安定性があると、エピタキシーに欠陥層が生じ、最終的にはデバイスの性能に影響を与える可能性があります。ハーフムーン パーツは、高温での究極の寸法安定性を実現するために慎重に製造されており、反りの可能性を制限し、特定のエピタキシャル レシピの下で適切なウェーハ配置を提供します。この構造的完全性は、より優れたエピタキシャル品質とより高い歩留まりにつながります。

ハーフムーン パーツの同様に重要な機能は熱伝導です。エピタキシャルチャンバーでは、均一で定常状態の熱伝導率が高品質の薄膜を得る鍵となります。グラファイトコアは、加熱プロセスを助け、均一な温度分布を促進するために、熱伝導率に理想的に適しています。 SiC コーティングは、プロセス中の熱疲労、劣化、汚染からコアを保護します。したがって、均一な温度伝達を達成し、欠陥のないエピタキシャル層の開発をサポートするために、ウェーハを均一に加熱することができます。言い換えれば、特定の熱条件を必要とする薄膜成長プロセスに対して、SiC コーティングされたハーフムーン部品は効率と信頼性の両方を提供します。寿命はコンポーネントの重要な側面です。エピタキシーは、一般的な建築材料が劣化せずに耐えられる温度を超える高温での熱サイクルで構成されることがよくあります。

清潔であることも重要な利点です。エピタキシーは汚染に非常に敏感であるため、非常に高純度の CVD SiC コーティングを使用することで、反応チャンバーからの汚染を排除します。これにより、パーティクルの発生が最小限に抑えられ、ウェーハが欠陥から保護されます。デバイス形状の継続的な小型化とエピタキシャルプロセス要件の継続的な縮小により、一貫した生産品質を確保するために汚染管理が重要になっています。

Semicorex SiC コーティングされたハーフムーン部品は、清浄度の問題に対処するだけでなく、柔軟性があり、さまざまなエピタキシャル システム構成に合わせて調整できます。また、特定の寸法、コーティングの厚さ、および厳密な装置に仮定的に適合する設計/公差で製造することもできます。この柔軟性は、既存の機器をシームレスに統合し、最も好ましいプロセス互換性を維持するのに役立ちます。