多孔質黒鉛るつぼ

多孔質黒鉛るつぼは、半導体製造の重要なステップである炭化ケイ素 (SiC) 単結晶の成長プロセスにおいて重要な役割を果たします。この特殊なるつぼは、極端な温度や過酷な化学環境に耐えるように設計されており、SiC 結晶成長に伴う高温反応に最適な容器です。

るつぼは通常、優れた熱伝導性、化学的不活性性、機械的強度で知られる高純度の黒鉛材料で作られています。 「多孔質」という用語は、グラファイト内に透過性の構造を意図的に作成し、結晶成長プロセス中に気体と液体の流れを制御できるようにすることを指します。

SiC 単結晶の成長プロセスには、高温炉内でのシリコンと炭素の原料物質の昇華が含まれます。多孔質黒鉛るつぼは、これらの原料物質の容器として機能し、結晶成長が起こるための安定した制御された環境を提供します。その多孔質構造により、前駆体ガスの効率的な輸送が可能になり、成長プロセス中に生成される副生成物の除去が容易になります。

安定性を維持し、極端な条件に耐えるるつぼの能力は、半導体デバイスの製造に不可欠な高品質の SiC 単結晶を実現するために不可欠です。るつぼの多孔性はガスの流れと熱分布の最適化に役立ち、大型で高品質の SiC 結晶の均一な成長に貢献します。