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単結晶シリコンエピタキシャルサセプタ
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単結晶シリコンエピタキシャルサセプタ

Semicorex の超高純度単結晶シリコン エピタキシャル サセプタは、グラファイト エピタキシーおよびウェーハ ハンドリング プロセスに最適で、汚染を最小限に抑え、非常に長寿命の性能を提供します。当社の製品は価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカの市場の多くをカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

Semicorex 単結晶シリコンエピタキシャルサセプタは、高純度 SiC でコーティングされたグラファイト製品であり、高い耐熱性と耐腐食性を備えています。半導体ウエハ上にエピタキシャル層を形成する工程で使用されるCVD炭化珪素コートキャリアで、熱伝導率が高く、熱分布性に優れています。
当社の単結晶シリコン エピタキシャル サセプタは、最適な層流ガス フロー パターンを実現し、熱プロファイルの均一性を確保するように設計されています。これにより、汚染や不純物の拡散が防止され、ウェーハチップ上での高品質のエピタキシャル成長が保証されます。
当社の単結晶シリコン エピタキシャル サセプタの詳細については、今すぐお問い合わせください。


単結晶シリコンエピタキシャルサセプタのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様

SiC-CVDの特性

結晶構造

FCC βフェーズ

密度

g/cm3

3.21

硬度

ビッカース硬さ

2500

粒度

μm

2~10

化学純度

%

99.99995

熱容量

J kg-1 K-1

640

昇華温度

2700

感覚の強さ

MPa(室温4点)

415

ヤング率

Gpa (4pt曲げ、1300℃)

430

熱膨張 (C.T.E)

10-6K-1

4.5

熱伝導率

(W/mK)

300


単結晶シリコンエピタキシャルサセプタの特長

- グラファイト基板と炭化ケイ素層は両方とも良好な密度を備えており、高温および腐食性の作業環境において良好な保護役割を果たします。
- 単結晶成長に使用される炭化ケイ素コーティングされたサセプタは、非常に高い表面平坦性を持っています。
- グラファイト基板と炭化ケイ素層の熱膨張係数の差を低減し、接着強度を効果的に向上させ、亀裂や層間剥離を防ぎます。
・グラファイト基材と炭化ケイ素層はいずれも熱伝導率が高く、熱分布特性に優れています。
- 高融点、高温酸化耐性、耐食性。




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