半導体産業向けMOCVDウェーハキャリア

Semicorex 半導体産業用 MOCVD ウェーハキャリアは、半導体産業で使用するために設計された最高級のキャリアです。高純度の材料により、均一な熱プロファイルと層流ガス流パターンが確保され、高品質のウェーハが得られます。

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製品説明

当社の半導体産業向け MOCVD ウェーハキャリアは、高温塩素化条件下での CVD 化学蒸着によって製造された高純度であり、製品の均一性と一貫性を保証します。また、耐食性にも優れており、表面が緻密で粒子が細かいため、酸、アルカリ、塩、有機試薬に対して耐性があります。高温酸化耐性により、1600℃までの高温でも安定性を保証します。
半導体産業向け MOCVD ウェーハキャリアの詳細については、今すぐお問い合わせください。

半導体産業用MOCVDウェーハキャリアのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様
SiC-CVDの特性
結晶構造	FCC βフェーズ
密度	g/cm3	3.21
硬度	ビッカース硬さ	2500
粒度	μm	2~10
化学純度	%	99.99995
熱容量	J kg-1 K-1	640
昇華温度	℃	2700
感覚の強さ	MPa(室温4点)	415
ヤング率	Gpa (4pt曲げ、1300℃)	430
熱膨張 (C.T.E)	10-6K-1	4.5
熱伝導率	(W/mK)	300

MOCVD用SiCコートグラファイトサセプタの特長

- 剥がれを避け、すべての表面を確実にコーティングしてください。
高温酸化耐性：1600℃までの高温でも安定
高純度: 高温塩素化条件下での CVD 化学蒸着によって製造されます。
耐食性：高硬度、緻密な表面、微細な粒子。
耐食性: 酸、アルカリ、塩および有機試薬。
- 最適な層流ガス流パターンを実現
- 熱プロファイルの均一性を保証
- 汚染や不純物の拡散を防止します。