CVD SiC エッチングリング炭化ケイ素

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製品説明

CVD SiC エッチングリング炭化ケイ素は、化学蒸着 (CVD) 法を使用して炭化ケイ素 (SiC) から作られた特殊なコンポーネントです。炭化ケイ素は、高硬度、優れた熱伝導率、過酷な化学環境への耐性などの優れた特性で知られる独自の先進的なセラミック材料です。

化学気相成長プロセスでは、制御された環境で基板上に SiC の薄層を堆積することで、高純度で精密に設計された材料が得られます。 CVD SiC は均一で緻密な微細構造が特徴で、優れた機械的強度と強化された熱安定性を実現します。

エッチングリングは、さまざまな産業用途、特に材料のエッチングを伴うプロセスにおいて重要な役割を果たします。 CVD SiC で構成されているため、優れた耐久性だけでなく、化学腐食や極端な温度変化に対する耐性も保証されています。このため、精度、信頼性、寿命が最重要視されるアプリケーションにとって理想的な選択肢となります。