4インチ酸化ガリウム基板

Semicorex 4 インチ酸化ガリウム基板は、優れた化学的安定性と熱的安定性を示し、極端な条件下でもその性能が一貫して信頼性を維持します。この堅牢性は、高温や反応性環境を含むアプリケーションでは非常に重要です。さらに、4 インチ酸化ガリウム基板は優れた光透過性を維持します。紫外から赤外までの広い波長範囲にわたるため、発光ダイオードやレーザーダイオードなどのオプトエレクトロニクス用途にとって魅力的です。

バンドギャップが 4.7 ～ 4.9 eV の 4 インチ酸化ガリウム基板は、臨界電界強度において炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) を大幅に上回り、SiC の 2.5 MV/cm と比較して最大 8 MV/cm に達します。 GaN の 3.3 MV/cm の特性は、250 cm²/Vs の電子移動度および電気伝導の透明性の向上と組み合わされて、4 インチ酸化ガリウム基板にパワー エレクトロニクスにおける大きな優位性をもたらします。 Baliga の性能指数は 3000 を超え、GaN や SiC の数倍であり、電力アプリケーションにおける優れた効率を示しています。

Semicorex 4 インチ酸化ガリウム基板は、通信、レーダー、航空宇宙、高速鉄道、新エネルギー車両での使用に特に有利です。これらの分野、特に高出力、高温、高出力の放射線検出センサーに非常に適しています。 Ga2O3 が SiC や GaN よりも大きな利点を示す高周波デバイス。