SiCフォーカスリング

Semicorex SiC フォーカス リングは、高純度の炭化ケイ素で製造された、精密に設計されたリング形状のコンポーネントです。 SiC フォーカス リングは、高度な半導体処理アプリケーション向けに設計されています。高純度の炭化ケイ素は、熱安定性 (高融点)、機械的耐久性 (高硬度)、および多くの次世代ウェーハ製造技術の仕様に適合するために重要な導電特性の点で優れた性能を発揮します。 SiC フォーカス リングは、プラズマ エッチングおよび成膜チャンバーのコンポーネントに使用されるコンポーネントであり、プラズマ分布の制御、ウェーハの均一性の達成、量産時の歩留まりの向上に重要な役割を果たします。

SiC フォーカス リングの材料純度と電気的性能は、このコンポーネントを定義し、セラミック材料と区別する最も重要な要素の一部です。高純度炭化ケイ素従来のセラミック素材とは異なり、以下の組み合わせが提供されます。 

硬度、多くの化学薬品に対する耐性、そして独特の電気特性を備えています。特に、より重要なことは、高純度炭化ケイ素はドーパントと処理方法を使用して設計でき、プラズマと相互作用する理想的な半導体バランスを備えた最適なレベルの導電性または絶縁性性能を生み出すことができるため、電荷の蓄積や電気的不均衡がプロセスエラーを引き起こす可能性が高い高エネルギー環境でも安定した性能を実現できます。

プラズマのエッジ効果により、密度は中心で高く、エッジで低くなります。フォーカス リングは、その環状形状と CVD SiC の材料特性により、特定の電場を生成します。この場は、プラズマ内の荷電粒子 (イオンと電子) をウェーハ表面、特にエッジに誘導して閉じ込めます。これにより、エッジのプラズマ密度が効果的に上昇し、中心のプラズマ密度に近づきます。これにより、ウェーハ全体のエッチングの均一性が大幅に向上し、エッジの損傷が軽減され、歩留まりが向上します。

Mercury Manufacturing は、厳しい寸法公差と滑らかな表面仕上げを実現する高度な機械加工および研磨プロセスを利用して SiC フォーカス リングを加工します。これらのコンポーネントの寸法精度により、さまざまな半導体装置サプライヤーとの互換性が可能になり、多くのプラズマ エッチングおよび堆積システム間での互換性が保証されます。リングの厚さ、内径および外径、表面導電率のレベルなどの特定のプロセス要件を満たすカスタム設計を開発することもできます。

SiC フォーカス リングのアプリケーションは、DRAM、NAND フラッシュ、ロジック デバイス、新しいパワー半導体技術など、半導体製造における幅広い分野をカバーしています。デバイスの形状が縮小し、プロセス ノードを通じて進歩し続けるにつれて、SiC フォーカス リングのような信頼性の高い安定したチャンバー コンポーネントの必要性が重要になります。 SiC フォーカス リングはプラズマを正確に制御し、ウエハの品質を一貫して向上させ、これまで以上に小型、高速、効率的な電子デバイスを目指す業界の野心を促進します。 Semicorex SiC フォーカス リングは、材料科学、精密工学、半導体プロセスの進化の交差点を定義します。 SiC フォーカス リングは、優れた熱安定性、優れた耐薬品性、および比に近い電気伝導率を備えています。これらの機能により、プロセス中の信頼性と歩留まりを確保する上で重要なコンポーネントになります。