MOCVD装置とは？

有機金属化学気相成長法 (MOCVD) として知られる MOCVD は、基板上に半導体薄膜を成長させる技術です。 MOCVD では、特定の光学的および電気的特性を持つ材料を形成するために、それぞれが制御された厚さで多くのナノ層を非常に正確に堆積させることができます。

ＭＯＣＶＤシステムは、有機金属前駆体を使用して材料の薄膜を基板上に堆積させるタイプの化学気相堆積（ＣＶＤ）システムである。このシステムは、反応容器、ガス供給システム、基板ホルダー、および温度制御システムで構成されています。金属有機前駆体は、キャリアガスと共に反応容器に導入され、温度は高品質の薄膜の成長を確保するために慎重に制御されます。

MOCVD の使用には、他の堆積技術に勝るいくつかの利点があります。 1つの利点は、薄膜の厚さと組成を正確に制御して複雑な材料を堆積できることです。これは、薄膜の材料特性がデバイスの性能に大きな影響を与える高性能半導体デバイスの製造にとって特に重要です。

MOCVD のもう 1 つの利点は、シリコン、サファイア、ヒ化ガリウムなど、さまざまな基板上に薄膜を堆積するために使用できることです。この柔軟性により、コンピュータ チップから LED まで、幅広い半導体デバイスの製造に不可欠なプロセスとなっています。

MOCVD システムは半導体業界で広く使用されており、多くの高度な技術の開発に貢献してきました。たとえば、MOCVD は、照明およびディスプレイ用途向けの高効率 LED や、太陽光発電用途向けの高性能太陽電池の製造に使用されています。