炭化ケイ素 (SiC) 基板の主要パラメータ

格子パラメータ:基板の格子定数が成長するエピタキシャル層の格子定数と確実に一致するようにすることは、欠陥と応力を最小限に抑えるために重要です。

スタッキングシーケンス:巨視的な構造は、SiCケイ素原子と炭素原子が 1:1 の比率で構成されています。ただし、原子層の配置が異なると、さまざまな結晶構造が生じます。したがって、SiCなどの多数のポリタイプを示します。3C-SiC、4H-SiC、および6H-SiC、それぞれABC、ABCB、ABCACBのようなスタッキングシーケンスに対応します。

モース硬度:基材の硬度を決定することは、加工のしやすさや耐摩耗性に影響するため、非常に重要です。

密度：密度は、製品の機械的強度と熱特性に影響を与えます。基板.

熱膨張係数:これは、基板温度が摂氏 1 度上昇すると、長さまたは体積は元の寸法に比べて増加します。温度変化下での基板とエピタキシャル層の熱膨張係数の適合性は、デバイスの熱安定性に影響を与えます。

屈折率:光学用途の場合、屈折率は光電子デバイスの設計における重要なパラメータです。

誘電率:これはデバイスの容量特性に影響します。

熱伝導率：高出力および高温のアプリケーションにとって重要な熱伝導率は、デバイスの冷却効率に影響します。

バンドギャップ:バンドギャップは、半導体材料の価電子帯の上部と伝導帯の下部の間のエネルギー差を表します。このエネルギー差により、電子が価電子帯から伝導帯に遷移できるかどうかが決まります。ワイドバンドギャップ材料は、電子遷移を励起するためにより多くのエネルギーを必要とします。

破壊電界:これは、半導体材料が耐えることができる最大電圧です。

飽和ドリフト速度:これは、電界にさらされたときに電荷キャリアが半導体材料内で達成できる最大平均速度を指します。電界強度がある程度増加すると、電界がさらに増加し​​てもキャリア速度は増加しなくなり、いわゆる飽和ドリフト速度に達します。**

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