SiCエピタキシーとは？

シリコン カーバイド (SiC) エピタキシーは、半導体分野、特に高出力電子デバイスの開発において重要な技術です。 SiC は広いバンドギャップを持つ化合物半導体であり、高温および高電圧動作を必要とするアプリケーションに最適です。

SiC エピタキシーは、化学蒸着 (CVD) または分子線エピタキシー (MBE) 技術を使用して、基板 (通常はシリコン) 上に結晶材料の薄層を成長させるプロセスです。エピタキシャル層は、基板と同じ結晶構造と方向を持ち、2 つの材料間に高品質の界面を形成することができます。

SiC エピタキシーは、ダイオード、トランジスタ、サイリスタなどのパワー デバイスを含むパワー エレクトロニクスの開発に広く使用されています。これらのデバイスは、電気自動車、再生可能エネルギー システム、電源など、幅広いアプリケーションで使用されています。

近年、電気自動車や再生可能エネルギー システムなどのアプリケーション向けの高出力デバイスを製造するための SiC エピタキシーの開発への関心が高まっています。これらのデバイスの需要は、より効率的で持続可能なエネルギー システムの必要性に後押しされて、今後数年間で急速に成長すると予想されます。

この需要に応えて、研究者や企業は、プロセスの品質の向上とコストの削減に重点を置いて、SiC エピタキシー技術の開発に投資しています。たとえば、ウェーハあたりのコストを削減するために大型基板上での SiC エピタキシーを開発している企業もあれば、欠陥密度を低減するための新しい技術を模索している企業もあります。

SiC エピタキシーは、ガス検知、温度検知、圧力検知など、さまざまなアプリケーション向けの高度なセンサーの開発にも使用されています。 SiC には、高温安定性や過酷な環境への耐性など、これらの用途に最適な独自の特性があります。