融合した石英のるつぼ

セミコレックス融合クォーツるつぼは、半導体製造に使用される貴重な消耗品であり、極端な温度環境での著しい純度、熱安定性、機械的強度を備えています。これらのるつぼは、高度に制御された融解技術を使用して融合して利用可能な最高の密度を実現する高純度シリカ砂から製造されています。その構造には、結晶のプルバックとウェーハの生産に非常に再現可能な、その構造に限られた包有物または気泡を備えた均一な材料があります。これらのるつぼには、材料の純度がデバイスの収量と性能に直接影響するプロセスに最適な汚染レベルがあります。

融合した石英るつぼは、単結晶シリコンの成長のCzochralski（CZ）法の半導体産生に使用されます。融合したクォーツ架橋は熱抵抗が高く、多くの場合1400°Cを超えるポリシリコンを溶かすために温度に耐えることができます。  さらに、融合された石英のるつぼは化学的に不活性であり、シリコンの純度に影響を与える方法でポリシリコンと反応しません。  融合したクォーツのるつぼは、構造の完全性を喪失することなく非常に実質的な熱サイクリングを受ける可能性があり、これにより、種子の結晶構造への成長の定常状態の状態を提供する可能性があり、したがって、半導体ウェーハで必要な均一性を達成します。

The 融合クォーツの光学特性と機械的特性は、半導体設定で独自の利点をもたらします。熱膨張係数が低いため、熱衝撃と寸法の矛盾が緩和され、熱コンダクタンスが低いため、結晶に対する結晶成長炉の温度勾配の維持に役立ちます。るつぼの内面は、滑らかであることを過去に滑らかにしているため、粒子状の生成を最小限に抑え、成長した結晶の純度をさらに保護する均一な溶融挙動を促進します。

融合した各Quartz Crucible Compormを確保するために採用された製造プロセスは、厳しい寸法公差と表面の品質で構成されています。原材料の選択は、金属汚染物質を排除するようにスクリーニングされ、大気ガスや粒子状汚染を無効にする特殊な環境で融解します。半導体アプリケーションに基づいて、るつぼは、小さな研究のるつぼから、300 mmウェーハを生産できる大きな直径のるつぼまで、いくつかの直径と壁の厚さで作ることができます。

融合したクォーツるつぼのユニークな特性はすでに耐久性と性能を向上させますが、必要に応じて追加の特殊な表面処理またはコーティングを使用できます。たとえば、一部のプロセスでは、るつぼの寿命を改善するか、溶融シリコンに到達する酸素の量をさらに最小限に抑えるために、内側のシリコン層堆積物が含まれます。これらの改善は、プロセスがクォーツるつぼを使用している場合、半導体生産の効率に役立ちます。これは、交換の頻度を減らし、結晶の収率を大きくするためです。

融合した石英るつぼは、半導体産業における新しいプロセスの研究開発にも役割を果たしています。その適応性により、エンジニアは、アルセニドガリウムや炭化シリコンなど、シリコン外の材料ドーピング技術、または新しい半導体材料を調べることができます。融合した石英るつぼの極端な化学的および熱条件に耐える能力により、エンジニアは大量生産と実験的製造の両方に最終的な保証を与えます。

semicorex融合石英るつぼは、今日の半導体製造における重要なツールになり、最も厳格な業界基準に関して、高い純度、優れた熱特性、そして信じられないほどの構造的安定性を特徴としています。したがって、欠陥のない、高性能の半導体ウェーハを生成する能力は、世界中の電子デバイスの信頼性と性能に直接影響します。