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カーボンファイバー強化カーボン治具
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カーボンファイバー強化カーボン治具

Semicorex カーボンファイバー強化カーボンフィクスチャは、高温処理環境向けに設計された高強度、軽量の構造コンポーネントであり、優れた熱安定性、効率的な熱分布、信頼性の高い機械的サポートを保証する精密なグリッド構造を特徴としています。 Semicorex は、半導体および先端製造産業向けに高度な高温材料と精密コンポーネントを提供することに専念し、世界中の顧客に信頼性の高いパフォーマンスと一貫した品質を提供します。

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製品説明

Semicorex カーボンファイバー強化カーボンフィクスチャは、多くの環境で 3000°C を超える温度に耐えることができる軽量で高強度の複合材料です。


パン系炭素繊維を配合、硬化、沈降、精製処理などの特殊な工程を経て作られています。


用途には以下が含まれます: 保護ライナーおよびメルトカバー。太陽光発電技術;真空冶金;非酸化物セラミックの製造。化学産業の新素材。


炭素繊維強化カーボン治具は、高温熱プロセスに最適な高性能構造コンポーネントを提供します。これらの治具は高度な炭素繊維複合材料を利用して、高強度炭素繊維と高密度炭素マトリックス材料の可能な限り最良の組み合わせを作成し、最大の機械的強度、熱安定性、長寿命を実現します。カーボン強化カーボン製の治具は、通常、高温熱処理、半導体製造 (ダイ、パッケージなど)、結晶成長、および高い寸法精度と高い熱信頼性が必要とされる高度な材料加工で使用されます。


この治具は高温操作向けに設計されており、精密なグリッド格子構造により均一なサポート パターン、最適なガス流量、最適な熱分布を提供します。これらの治具は、機械的に安定で一貫性の高い熱源を提供する独自の炭素繊維強化炭素セル構造により、ウェハ処理、焼結、熱処理、結晶成長に最適です。

CFC fixtures


先進的なカーボンコンポジット構造


カーボンファイバー強化カーボン治具は、樹脂含浸、炭化、高温黒鉛化などの高度な複合加工技術により、カーボンマトリックスを高強度カーボンファイバーで強化して製造されます。このプロセスにより、従来のグラファイト部品と比較して機械的強度が大幅に向上した材料が作成されます。


カーボンファイバーの強化により、器具の機械的負荷や熱応力に対する耐性が大幅に向上します。繰り返しの加熱と冷却のサイクル下でも、複合構造は亀裂や変形を起こすことなく完全性を維持します。このため、C/C 治具は、2000°C を超える温度で動作する要求の厳しい工業プロセスにとって理想的なソリューションとなります。


熱効率を高めるために最適化されたグリッド設計


この治具の 3 次元グリッド システムには、高温処理システムで使用する上で多くの実用的な利点があります。たとえば、等間隔に配置された格子により、構造全体にわたる熱の自由な移動が可能になり、炉または反応器チャンバー内に一貫した熱環境を作り出すのに役立ちます。


これはオープン グリッド設計であるため、固定システムを介した熱の分布がより均一になるため、ガス流に利点があり、化学蒸着 (CVD)、焼結、アニーリングなどのプロセスに一般的な熱勾配が減少します。そのため、治具は一貫した熱条件の達成を支援することで、安定した加工条件と完成品の均一性の向上を促進します。


さらに、グリッド構造により、コンポーネント全体の重量が軽減されながら、一貫した機械的サポートが提供されます。その結果、このコンポーネントの軽量構造により熱慣性が小さくなり、加熱と冷却のサイクルが短縮され、炉の効率が向上します。


高純度および化学的適合性


カーボンファイバー強化カーボン製治具は通常、高純度のカーボン原料を使用して製造されるため、厳格な汚染管理が必要な用途に適しています。真空または不活性雰囲気では、材料は化学的に安定したままであり、敏感な処理環境に影響を与える可能性のある不純物を放出しません。


より要求の厳しい用途では、これらの治具を炭化ケイ素 (SiC) などの保護コーティングで強化して、耐酸化性を向上させ、反応性または酸化性雰囲気での耐用年数を延長することもできます。


主な特長


炭素繊維強化複合構造による優れた強度

2000℃を超える温度でも優れた熱安定性

効率的な熱分布を実現する軽量グリッド設計

熱衝撃や機械的ストレスに対する優れた耐性

半導体や先端材料の加工に適した高純度

特殊な炉システム向けにカスタマイズ可能な形状


アイテム 価値
かさ密度 (g/cm3) 1.45—1.75
熱伝導率(W/m・k) 0.05—0.10
灰分(%) ≤0.05%
折り曲げ強度(MPa) 200—300
引張強さ(MPa) 250—380
弾性率(MPa) 80
プロセス温度(℃) 2400
動作温度(℃) 雰囲気 ≤400
真空 ≤2200
不活性ガス ≤3400


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