SiC結晶の欠陥について - マイクロパイプ

SiC 基板には、貫通ねじ転位 (TSD)、貫通刃状転位 (TED)、ベースプレーン転位 (BPD) などの微細な欠陥が存在する場合があります。これらの欠陥は、原子レベルでの原子の配置のずれによって引き起こされます。 SiC 結晶には、Si または C の介在物、マイクロパイプ、六角形の空隙、多形などの巨視的な転位が存在する場合もあります。これらの転位は通常、サイズが大きいです。

SiC デバイスの製造における主要な問題の 1 つは、「マイクロパイプ」または「ピンホール」として知られる三次元微細構造であり、これらのサイズは通常、それぞれ 30 ～ 40 um および 0.1 ～ 5 um です。これらのマイクロパイプの密度は 10 ～ 103/cm2 で、エピタキシャル層を貫通してデバイスキラー欠陥を引き起こす可能性があります。それらは主にスピロ転位のクラスター化によって引き起こされ、SiC デバイスの開発における主な障害と考えられています。

基板上の微小管欠陥は、成長プロセス中にエピタキシャル層に形成されるボイド、さまざまな多形のインクルージョン、双晶などの他の欠陥の原因となります。したがって、基板材料の成長プロセス中に行うべき最も重要なことは、高電圧および高出力の SiC デバイスにとって重要なのは、バルク SiC 結晶における微小管欠陥の形成を減らし、微小管欠陥がエピタキシャル層に侵入するのを防ぐことです。

マイクロパイプは小さな穴とみなすことができ、プロセスの条件を最適化することで「穴を埋める」ことでマイクロパイプの密度を下げることができます。文献および実験データにおけるいくつかの研究は、蒸着エピタキシー、CVD 成長、および液相エピタキシーがマイクロパイプを充填し、マイクロパイプと転位の形成を減らすことができることを示しています。

Semicorex は、MOCVD 技術を利用してマイクロパイプ密度を効果的に低減する SiC コーティングを作成し、最高品質の製品を生み出します。ご質問がある場合、または詳細が必要な場合は、お気軽にお問い合わせください。

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